电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锡铅合金中的锡

建立电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP–OES)法测定锡铅合金中的高含量锡。采用盐酸、硝酸、酒石酸溶解样品,在优化的操作条件下,采用基体匹配和内标相结合的方法消除干扰。选择分析线和内标线分别为Sn283.999 nm和Y 371.030 nm,用ICP–OES法测定锡铅合金中的锡,以内标法定量。锡的含量在7.36%～89.91%范围内具有良好的线性关系,线性相关系数r=0.999 7,检出限为0.06%。该方法用于锡铅合金样品中锡的测定,测定结果的相对标准偏差为0.46%～1.50%(n=11),加标回收率在88%～114%之间。该方法简便、快速、准确,可用于锡铅合金中锡含量的测定。

电感耦合等离子体串联质谱法测定半导体级磷酸中15种痕量杂质元素

半导体级磷酸是电子行业使用的一种超高纯化学试剂,广泛应用于超大规模集成电路、薄膜液晶显示器等微电子工业,主要用于硅晶片中氮化硅膜、镀金属膜和铝硅合金膜的湿法清洗和蚀刻[1-2]。在硅晶片的蚀刻过程中,磷酸中痕量杂质元素对电子元器件的成品率、电性能及可靠性有很大影响。不同的杂质污染会导致半导体器件的缺陷,如碱金属与碱土金属(钠、钾、钙、镁等)污染可导致器件的击穿电压降低;过渡金属与重金属(铁、铬、镍、铜、金、锰、铅等).