SiC单晶片的激光标识技术研究

研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化。确定了激光功率为50%,标刻速度为100 mm/s,频率为20 k Hz,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的激光打标工艺更好地应用于Si C晶片生产加工中。

游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比

通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC晶片表面质量较好,但用时较长,适用于小型实验;金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC晶片几何参数更好且稳定,且加工效率较高,适用于大型生产。