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温度对InAlAs/InGaAs量子级联激光器性能的影响
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作者 袁浩然 孙文军 +3 位作者 姚成宝 王炫利 王金颖 程集 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2015年第2期102-105,共4页
设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如... 设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如偶极矩阵元、散射时间、增益系数、阈值电流密度、外微分量子效率等.分析了温度对阈值电流密度及激光输出功率的影响.结果表明在300K下输出功率为15m W,外微分量子效率为10%,部分参数优于相关文献.也为室温下工作的量子级联激光器设计奠定了理论基础. 展开更多
关键词 量子级联激光器 有源区 偶极矩阵元 电增益系数
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