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颅骨修复材料的研究进展 被引量:2
1
作者 王玮竹 朱晏军 阎玉华 《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第9期21-23,共3页
介绍了目前较常使用的几种颅骨修复材料 ,比较它们的优缺点 ,并简要探讨了该领域新的研究方向
关键词 颅骨修复材料 金属材料 骨替代物 有机玻璃板 聚甲基丙烯酸甲酯 钛板 硅橡胶涤纶网 骨水泥 高密度多孔聚乙烯 生物活性因子 高分子纤维增强材料人造颅骨 自体颅骨瓣
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PMMA/HA-GF医用复合材料制备及性能测试 被引量:1
2
作者 王玮竹 朱晏军 闫玉华 《生物骨科材料与临床研究》 CAS 2005年第3期51-53,共3页
本文主要研究了无机玻璃纤维增强聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/羟基磷灰石(HA)复合材料的制备及相关的性能测试,证明此复合材料性能稳定、物理机械强度高以及工艺简单,有良好的应用前景。
关键词 PMMA HA 性能测试 制备 医用复合材料
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复合材料人工颅骨的制备与力学性能 被引量:8
3
作者 朱晏军 王玮竹 +2 位作者 陈晓明 周学东 闫玉华 《中国临床康复》 CSCD 2003年第14期2078-2079,共2页
目前用于颅骨缺损修复材料大致可分为:金属类、陶瓷类、高分子类、自体或异体骨等。单独应用上述材料,均存在一定的不足,临床应用受到了限制。金属材料导热系数高,且成型加工困难。使用金属材料,患者头部对外界温差反应变得非常敏感,长... 目前用于颅骨缺损修复材料大致可分为:金属类、陶瓷类、高分子类、自体或异体骨等。单独应用上述材料,均存在一定的不足,临床应用受到了限制。金属材料导热系数高,且成型加工困难。使用金属材料,患者头部对外界温差反应变得非常敏感,长期温差变化将损伤患者脑组织。生物活性磷酸钙陶瓷虽然具有骨传导作用,但存在材料可塑性差,材料和骨结合的稳定性较差,可降解聚合物虽有降解活性,但代谢产物易引发炎症。高分子材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯和硅橡胶等。其中PMMA为国内外大量采用。这是因为它与机体的相容性较好、比重轻、强度较高和加工成型方便。但作为组织的支撑材料,它的某些力学性能却比人体颅骨差,主要是脆性大,抗冲击性能较差。研究无机纤维增强PMMA/羟基磷灰石(HA)复合材料人工颅骨的制备与性能研究。通过性能测试,证实此复合材料具有良好的生物相容性和物理力学性能,说明该颅骨修复材料可以临床使用。 展开更多
关键词 复合材料 人工颅骨 制备 力学性能 颅骨缺损 临床应用
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颅骨修复复合材料的制备 被引量:1
4
作者 朱晏军 王玮竹 +2 位作者 陈晓明 周学东 闫玉华 《化工新型材料》 CAS CSCD 2003年第8期30-31,共2页
主要论述了碳纤维 (CF)和玻璃纤维 (GF)混杂增强聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) /羟基磷灰石 (HA)复合材料人工颅骨的制备方法及其力学性能。通过实验 ,证实了此复合材料具有比单纯GF增强PMMA/HA复合材料人工颅骨更好的物理机械性能 ,是目前... 主要论述了碳纤维 (CF)和玻璃纤维 (GF)混杂增强聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) /羟基磷灰石 (HA)复合材料人工颅骨的制备方法及其力学性能。通过实验 ,证实了此复合材料具有比单纯GF增强PMMA/HA复合材料人工颅骨更好的物理机械性能 ,是目前制作人工颅骨较为理想的材料。 展开更多
关键词 人工颅骨 修复 复合材料 制备 生物医用材料 聚甲基丙烯酸甲酯 羟基磷灰石 碳纤维 玻璃纤维
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纳米羟基磷灰石(HAP)的制备方法及应用 被引量:8
5
作者 朱晏军 王玮竹 闫玉华 《佛山陶瓷》 2003年第7期9-11,共3页
HAP是一种活性陶瓷材料,由于其成份接近生物机体骨骼的无机成份,能诱发新骨生长和具有良好的生物相容性等特点,作为替代材料已广泛应用于人体硬组织的修复。本文主要介绍HAP的晶体结构和几种常用的制备方法及其应用。
关键词 纳米羟基磷灰石 HAP 制备方法 应用 活性陶瓷
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闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
6
作者 毕京锋 赵建华 +3 位作者 邓加军 郑玉宏 王玮竹 李树深 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期204-207,共4页
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层... 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用. 展开更多
关键词 半金属 室温铁磁性 分子束外延
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Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
7
作者 郑玉宏 赵建华 +3 位作者 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期211-214,共4页
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
关键词 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延
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Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots with Room-Temperature Ferromagnetism
8
作者 郑玉宏 赵建华 +4 位作者 毕京锋 王玮竹 姬扬 吴晓光 夏建白 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第7期2118-2121,共4页
自我组织的冲淡的磁性的量点的 做Cr 的 InAs ( QD )是成年bylow温度分子横梁的取向附生,磁性的大小表明所有 InAs 的居里温度:有流动比率从 0.026~0.18 变化在 400 K.High决定以外的 Cr/In 的 Cr QD 层穿过部分传播电子显微镜学图... 自我组织的冲淡的磁性的量点的 做Cr 的 InAs ( QD )是成年bylow温度分子横梁的取向附生,磁性的大小表明所有 InAs 的居里温度:有流动比率从 0.026~0.18 变化在 400 K.High决定以外的 Cr/In 的 Cr QD 层穿过部分传播电子显微镜学图象显示那 InAs :锌闪锌矿结构的 Cr QDsare 。为高级居里温度负责的可能的起源被讨论。 展开更多
关键词 杂质掺杂 磁铁 量子 铁磁性
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Growth parameter dependence of magnetic property of CrAs thin film
9
作者 毕京锋 赵建华 +5 位作者 邓加军 郑玉宏 王玮竹 鲁军 姬扬 李树深 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第12期3868-3872,共5页
This paper has systematically investigated the substrate temperature and thickness dependence of surface morphology and magnetic property of CrAs compound films grown on GaAs by molecular-beam epitaxy. It finds that t... This paper has systematically investigated the substrate temperature and thickness dependence of surface morphology and magnetic property of CrAs compound films grown on GaAs by molecular-beam epitaxy. It finds that the substrate temperature affects the surface morphology and magnetic property of CrAs thin film more potently than the thickness. 展开更多
关键词 magnetic films zinc-blende CrAs room-temperature ferromagnetism molecular-beam epitaxy
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室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
10
作者 刘晓东 王玮竹 +4 位作者 高瑞鑫 赵建华 文锦辉 林位株 赖天树 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3857-3861,共5页
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合... 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据. 展开更多
关键词 (Ga Mn)As稀磁半导体 时间分辨克尔光谱 电子自旋弛豫 DP机理
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Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质
11
作者 杨威 姬扬 +3 位作者 罗海辉 阮学忠 王玮竹 赵建华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期8560-8565,共6页
建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁... 建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制. 展开更多
关键词 自旋电子学 稀磁半导体 自发涨落谱
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外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
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作者 周蓉 孙宝权 +4 位作者 阮学忠 甘华东 姬扬 王玮竹 赵建华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5244-5248,共5页
利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁... 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式. 展开更多
关键词 时间分辨Kerr旋光测量 ZEEMAN效应 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida模型
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