二次离子质谱术定量矽晶圆中残留氧

二次离子质谱术在定量矽晶圆中残留氧时，＾１６Ｏ／＾３０Ｓｉ二次离子记号比值会随抽真空时间增加而递减，在定量方式上必须考虑在分析过程中＾１６／３０Ｓｉ二次离子记号比较比值的改变。采用交错定量方式是较佳的定量方法，在抽真空时间２ｈ后，定量结果的相对偏差值可低于２％，可得较精确的测定结果。