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SOI在高压器件中的应用 被引量:1
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作者 王石冶 刘卫丽 +2 位作者 张苗 林成鲁 宋志棠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期983-987,共5页
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
关键词 SOI 高压器 击穿电压
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SOI在射频电路中的应用 被引量:2
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作者 骆苏华 刘卫丽 +5 位作者 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期67-70,共4页
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。 展开更多
关键词 射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX
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