SOI热光4×4光开关阵列的研制(英文)

设计和制作了由 5个 2× 2多模干涉马赫 -曾德开关元组成的重排无阻塞型 SOI 4× 4热光开关阵列 .阵列的最小和最大附加损耗分别为 6 .6和 10 .4 d B,阵列的串扰为 - 12～ - 19.8d B,光开关阵列的开关速度小于 30μs,单个开关元的功耗大约为 330 m W.

N×N集成光开关阵列模型

报道了由 2N个 1×N多模干涉马赫 曾德尔光开关组成的N×N光开关阵列结构 ,分析了这种结构的开关阵列优势和局限性 用场传输矩阵方法建立了 1×N多模干涉光开关的光场传输方程 给出了光开关阵列从任一输入端输入、从任一输出端输出时阵列开关的工作条件 在上述原理及理论基础上分析了 4×

SOI热光调制器

设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器 .通过合理选择 SOI光波导的埋层和包层的厚度 ,使制作出的调制器有良好的综合性能 .调制器调制深度为 91% ,功耗为 0 .35 W,调制速度约为 2 7μs.

SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究(英文)

设计和制作了基于SOI的通道转换型多模干涉耦合器。用二维BPM方法分析了耦合器的性能与多模波导宽度和长度的依赖关系 .制作出的耦合器能实现良好的通道转换 ,器件的功率转换比为 73,附加损耗为 2 .2dB .提高器件制作的精度将能进一步改善耦合器的性能 .

集成光开关阵列的研究进展

文中简要介绍了集成光开关阵列的研究进展 ,重点分析了不同材料和不同结构的开关阵列的特点 :绝缘体上的硅 (SOI)和III -V族化合物半导体光开关阵列是阵列开关研究的重点 ,完全无阻塞简化树型和拜尼兹重排无阻塞型阵列开关有良好的综合性能 ,半导体光放大器(SOA)光开关阵列已成为未来阵列开关发展的重要方向之一。

薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势。结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素。通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s。

液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的表面发生氧化,从而阻止下层金属的刻蚀。在灰化气体中加入少量SF6,能有效地去除生成的金属氧化物,提高下层金属的刻蚀速率。在优化的灰化工艺条件下,制作的TFT具有良好的电学特性。

2010～2012年某院临床常见病原菌耐药性分析

目的了解南宁市第一人民医院2010年1月至2012年12月临床常见病原菌对常用抗菌药物的耐药情况,为临床抗菌药物的合理使用提供依据。方法对2010年1月至2012年12月临床标本分离出的病原菌药敏试验结果进行回顾性分析。结果 3年共分离出病原菌10 153株,其中革兰阴性杆菌占61.2%,革兰阳性球菌占26.6%,真菌占12.2%。分离数排列前6位的病原菌为:绿脓假单胞菌(16.6%)、大肠埃希菌(14.5%)、肺炎克雷伯菌(11.6%)、白色念珠菌(9.8%)、鲍曼不动杆菌(5.4%)、金黄色葡萄球菌(4.1%)。革兰阴性杆菌对亚胺培南、阿米卡星、派拉西林/他唑巴坦敏感,对氨苄西林、复方磺胺甲噁唑耐药率高;革兰阳性球菌对万古霉素、哌拉西林/他唑巴坦敏感,对红霉素、氨苄西林、青霉素耐药;白色念珠菌对两性霉素B、制霉菌素、5-氟胞嘧啶敏感。结论医院分离的常见病原菌为革兰阴性杆菌,临床应重视病原菌的耐药性监测,在治疗过程中合理使用抗菌药物。

有机薄膜晶体管(OTFT)的研究进展

有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点,成为下一代显示技术的研究焦点。本文综述了有机薄膜晶体管的研究现状和未来的发展趋势,比较了采用不同材料的OTFT器件的性能,总结了影响OTFT性能的两大主要因素,即栅极绝缘层与有机有源层之间的界面特性和有机有源层与源/漏电极之间欧姆接触电阻的大小,并详细综述了改善OTFT性能的最新方法和研究成果。

SOI光波导和集成波导光开关矩阵

报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5～8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的.在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换.

氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究

为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。

液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究

为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验,分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系,并给出了刻蚀后的扫描电镜(SEM)图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图。结果表明,本试验中气压是影响幅度最大的因素;另外,较高的功率会使钼对下层选择比严重变差。

几种含钌化合物水解反应的理论探究

NAMI-A是含有六个配体的含钌化合物,除了咪唑环很难水解外,其他配体均可能发生水解反应.分别用吲唑配体、1,2,4-三唑配体、1-氨基-1,2,4-三唑配体和1-甲基-1,2,4-三唑配体来代替NAMI-A中的咪唑环配体,得到了四种NAMI-A类似物,利用理论方法探究了四种化合物的水解反应路径并计算反应所需的活化自由能.结果表明四种NAMI-A类似物均会发生氯离子配体的水解反应,其中含有吲唑配体的化合物水解所需的活化自由能最小.

嘉庆四年的在京扬州人

嘉庆四年（1799）前后，在北京出现了一系列让扬州人自豪的大事。先是年前戊午科江南省乡试，其文、武解元为扬州人摘桂；次年己未科会试之会元、殿试之探花又为扬州人夺得，一时轰动京城。乘此东风，拖延数年的重修扬州会馆，终于在京开工并完成。这些事件，或多或少都与扬州籍京官阮元有着关系。《清宫扬州御档选编》在嘉庆四年时间段内，收有5件御档，其中有关阮元的4件。这4件御档，从不同侧面反映出嘉庆帝对阮元的青睐。

乾嘉年间扬州玉器制作

清代康乾盛世之际,雄居中国东南第一大都市的扬州,经济繁荣,文化昌盛,诸大事不胜枚举.常驻或流动于斯的众多上层社会的官宦名流、中产阶级的士绅商贾、底层的市井小民,这庞大的群体带来了巧艺、器物、园林、建筑等方面发展与繁盛.

TFT-LCD中画面闪烁的机理研究

画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷。文章通过一系列的实验,观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系,并给出了机理解释。Vgs的变化产生ΔVp,导致Vcom的漂移,形成闪烁,但如果Vcom的均匀性较好,这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除。Photo-Ioff造成在正、负极性电压下像素的电压保持特性不同,引起Vcom进一步的漂移和闪烁。通过降低Photo-Ioff和提高Vgl,可以改善闪烁现象。

TFT-LCD中I_(off-p)与画面闪烁关系的研究

为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验。首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁。其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系。同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号,并给出了原理性解释。最后采用半导体参数设备对TFT进行了I-V特性测试。所有的实验结果均表明,Ioff-p过大能够导致像素电压无法有效保持,从而使正负帧的亮度产生较大差异,最后造成闪烁偏高。

ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20V],下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。

关于液晶联动的分析研究

目前京东方部分产品量产时易出现重力Mura、低温气泡等问题,本文针对问题产生的原因进行分析,并对PS高度测试方法、PS高度与液晶量的联动方法进行分析研究及实验验证。目前测试PS高度的方法并未考虑工艺波动造成的色阻段差的变化对盒内体积的影响,本文首先提出了可以反映量产时色阻变化的PS高度测量方法,另根据LC Margin评价结果及PS形变量结果给出了PS高度与液晶量的联动关系。通过对PS高度与液晶量联动的分析研究,有效解决了因量产工艺波动造成的PS偏差引起的实际量产时滴下的液晶量并非对应的LC Margin中心的问题,从而避免出现重力Mura和低温气泡等LC Margin相关的问题,并且扩大了3%的工程管控范围,为企业的产品品质和竞争力的提升奠定了良好的基础。