期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
形成优质Si^+注入SI—GaAs层的研究
被引量:
1
1
作者
李国辉
韩德俊
+4 位作者
陈如意
姬成周
王策寰
夏德谦
朱红清
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期40-47,共8页
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程...
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ca]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高.实验还证明,29Si+注入时BF+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降.本文指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃5秒退火为佳.
展开更多
关键词
砷化镓
集成电路
离子注入
下载PDF
职称材料
BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
2
作者
李国辉
韩德俊
+5 位作者
陈如意
罗晏
刘伊犁
姬成周
朱红清
王策寰
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992年第4期478-482,共5页
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n...
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。
展开更多
关键词
砷化镓
离子注入
硅离子
下载PDF
职称材料
题名
形成优质Si^+注入SI—GaAs层的研究
被引量:
1
1
作者
李国辉
韩德俊
陈如意
姬成周
王策寰
夏德谦
朱红清
机构
北京师范大学低能核物理所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期40-47,共8页
基金
国家自然科学基金
文摘
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ca]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高.实验还证明,29Si+注入时BF+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降.本文指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃5秒退火为佳.
关键词
砷化镓
集成电路
离子注入
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
2
作者
李国辉
韩德俊
陈如意
罗晏
刘伊犁
姬成周
朱红清
王策寰
机构
北京师范大学低能核物理研究所
中国科学院半导体研究所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992年第4期478-482,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。
关键词
砷化镓
离子注入
硅离子
Keywords
Si^+ implantation
SI-GaAs
BF^+ effect
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
形成优质Si^+注入SI—GaAs层的研究
李国辉
韩德俊
陈如意
姬成周
王策寰
夏德谦
朱红清
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
下载PDF
职称材料
2
BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响
李国辉
韩德俊
陈如意
罗晏
刘伊犁
姬成周
朱红清
王策寰
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部