梅毒抗体水平与梅毒感染患者血清Treg、Th17细胞因子的相关性

目的探究梅毒抗体水平与梅毒感染患者血清调节性T细胞(Treg)、辅助性T细胞17(Th17)细胞因子的相关性。方法回顾性收集我院2020年11月-2022年11月收治的梅毒感染患者102例临床资料作为观察组,另外选取同时期于我院进行梅毒抗体检测为阴性的健康体检人群临床资料作为对照组。比较患者一般资料[年龄、性别、体质量指数(Body mass index,BMI)、病程],Treg、Th17细胞因子白细胞介素-22(IL-22)、白细胞介素-10(IL-10)、转化生长因子-β(TGF-β)、白细胞介素-17(IL-17)水平。分析梅毒抗体阳性与梅毒感染患者血清Treg、Th17细胞因子IL-22、IL-10、TGF-β、IL-17水平的相关关系。结果两组一般资料比较差异无统计学意义,P>0.05。观察组IL-22、IL-17水平低于对照组,差异显著(t=8.154,P=0.000、t=7.432,P=0.000),观察组IL-10、TGF-β水平高于对照组,差异显著(t=5.846,P=0.000、t=2.421,P=0.017)。梅毒抗体阳性与IL-22、IL-17水平呈负相关关系,差异显著(r=-0.632,P<0.001、r=-0.619、P<0.001),与IL-10、TGF-β水平呈正相关关系,差异显著(r=0.526,P<0.001、r=0.275,P<0.05)。结论梅毒感染患者Treg、Th17细胞失衡,IL-22、IL-17水平降低,IL-10、TGF-β水平升高,梅毒抗体阳性与IL-22、IL-17水平呈负相关,与IL-10、TGF-β水平呈正相关。

截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器

采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片。在分子束外延法(MBE)生长的In_(0.75)Al_(0.25)As/In_(0.75)Ga_(0.25)As/In_(0.75)Al_(0.25)As外延材料上,采用砷化锌作为扩散掺杂源、SiN_(x)作为扩散掩膜层,实现了扩散成结。分析了扩散结深和载流子侧向收集宽度、Ⅰ-Ⅴ特性、光谱响应特性和探测率,结果表明:150 K温度下,器件暗电流密度0.69 nA/cm^(2)@-10 mV,响应截止波长和峰值波长分别为2.12μm和1.97μm,峰值响应率为1.29 A/W,峰值量子效率达82%,峰值探测率为1.01×10^(12) cmHz^(1/2)/W。这些结果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义。

非高密度脂蛋白与载脂蛋白A比值和单核细胞与高密度脂蛋白比值对冠心病的诊断价值

目的:探讨非高密度脂蛋白与载脂蛋白A比值和单核细胞与高密度脂蛋白比值对冠心病的诊断价值。方法:选择疑似冠心病患者1867例:根据诊断结果将患者分为两组:对照组(非冠状动脉疾病,n=385)和观察组(冠状动脉疾病,n=1482)。多因素回归分析各因素与冠心病的相关性。结果:多变量分析显示,年龄、糖尿病、高血压、MHR和非HDL-C/ApoA-I是诊断冠心病的独立危险因素。结论:非高密度脂蛋白/载脂蛋白A和单核细胞/高密度脂蛋白可作为评估冠状动脉疾病的生物标志物。

非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究

为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究,结果表明,随着扩散温度和时间增加,p-n结结深显著增加,u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料(5×10^(16) cm^(-3))趋于缓变。根据实验结果计算了530℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10^(-12) cm^(2)/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布,结果表明:有效光敏面积显著增大,对实验数据的拟合求出了少子扩散长度LD为63μm,与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm^(2),变温测试得到激活能E_(a)为0.66 eV,通过拟合器件的暗电流成分,得到器件的吸收层少子寿命τ_(p)约为5.11μs,与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。

分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究

研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和As分子束形态对In_(0.74)Ga_(0.26)As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明:适中的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度。As分子束为As_(2)时In_(0.74)Ga_(0.26)As材料质量优于As4分子束。当生长温度为570℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×10^(14)cm^(-3)和4.0×10^(14)cm^(-3),迁移率分别达到13400cm^(2)/Vs和45160 cm^(2)/Vs。

短波红外铟镓砷探测器材料表面缺陷研究

短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)In束源炉的温度设置。结果表明,In炉上下温差为130℃时所生长的短波红外晶格失配In0.83Ga0.17As材料的表面缺陷密度最小,由此有效地将材料的表面缺陷密度由3000 cm-2左右降至约500 cm-2。结合短波红外晶格失配InGaAs材料的室温光致发光测试,经分析可知,In束源炉上下温差存在最优值的现象是由于In金属液滴和炉子顶部杂质引起卵形缺陷这两种机制的共同作用而引起的。本文制备的低缺陷密度晶格失配InGaAs探测器材料为发展高性能延伸波长短波红外焦平面阵列打下了基础。

雷贝拉唑与莫沙必利联合治疗功能性消化不良36例

目的评价雷贝拉唑与莫沙必利联合治疗功能性消化不良的疗效。方法将106例患者随机分为3组,A组(36例)口服雷贝拉唑10mg(每日1次),B组(35例)口服莫沙必利5mg(每日3次),C组(35例)口服雷贝拉唑10mg(每日1次)和莫沙必利5mg(每日3次),疗程均为4周。结果C组总有效率为82.8%,治愈率为71.4%,均明显优于A组和B组,且有显著性差异(P<0.05,P<0.01),3组不良反应均较轻微。结论雷贝拉唑与莫沙必利联合治疗能有效缓解功能性消化不良的症状,疗效明显,安全可靠。