采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹...采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹配电路及输出匹配电路,提高了放大器的增益和工作带宽。采用非均匀功率管版图布局及镇流电阻,提升功率放大器电路可靠性。测试结果表明,在8-12 GHz频段内,放大器回波损耗均小于-10 d B,小信号增益大于30 d B,1 d B压缩点输出功率为16 d Bm,饱和功率大于19 d Bm,峰值饱和功率附加效率大于18%。该放大器工作在AB类,采用5 V供电,静态工作电流为80 m A,面积为1.22 mm×0.73 mm。展开更多
文摘采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹配电路及输出匹配电路,提高了放大器的增益和工作带宽。采用非均匀功率管版图布局及镇流电阻,提升功率放大器电路可靠性。测试结果表明,在8-12 GHz频段内,放大器回波损耗均小于-10 d B,小信号增益大于30 d B,1 d B压缩点输出功率为16 d Bm,饱和功率大于19 d Bm,峰值饱和功率附加效率大于18%。该放大器工作在AB类,采用5 V供电,静态工作电流为80 m A,面积为1.22 mm×0.73 mm。
