具有多层结构的新型蒸发源

本文报道了一种具有多层结构的新型蒸发源,指出了它的特点和用该蒸发源制备CdS太阳电池的结果。

多晶CdS太阳电池p-n结电容的测量及应用

介绍了p-n结电容测量方法。通过测量C-V特性研究了Cds太阳电池的热处理及上栅过程,分析并讨论了p-n结的变化与电池不稳定的关系。初步研究了扩散电位的测定问题。

车用太阳能充电仪及其应用效果

扼要介绍了车用太阳能充电仪的结构，研究了充电电流与蓄电池自放电的关系。实验结果表明，充电电流为２０￣３０ｍＡ时可以满足汽车、拖拉机抑制蓄电池自放电的要求。

室内用太阳能电池

描述了弱光太阳能电池的制备方法，给出了这种电池的基本性能。提出了这种太阳能电池可以竽电子手表，小型收音机等。

Cd_2SnO_4等四种半导体薄膜制备及性能研究

采用喷涂热解法制备了以Cd2SnO4为代表的四种半导体薄膜，即Cd2SDO4，In2SnO5，TiSnO4及Zn2SnO4。测试了薄膜的半导体、光学和电学性能，得到了In2SnO5，Cd2SpO4薄膜电阻率的范围在10（－3）Ω·cm和高的透射比（可见光）；TiSnO4薄膜高的反射比（红外光）；同时，比较溅射法对结果进行了讨论。

SnO_2光敏、气敏元件的性能研究

报道了用常压蒸发法制备的SnO2薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏于一体的传感器的研究。

光敏CdS粉的制备与性能研究

光敏ＣｄＳ粉的制备与性能研究王岚＊鲍崇林王给祥（中国科学院长春应用化学研究所，长春１３００２２）关键词半导体，掺杂ＣｄＳ，烧结，静电复印硫化镉（ＣｄＳ）是重要的半导体材料，尤其在可见光范围，已经应用到光电导、压电晶体和激光材料上［１］．随着近代微电子...

EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究

用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型，典型膜的电阻率为２．５×１０－１Ω·ｃｍ，Ｈａｌｌ迁移率为５２ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为１．４２×１０１７ｃｍ－３，禁带宽度为２．１３ｅＶ。探讨了ＺｎＩｎ２Ｓ４膜的导电机理，并制作了ＺｎＩｎ２Ｓ４－Ｓｉ太阳电池。

薄膜异质结CulnS_2(CulnSe_2)/CdZnS太阳电池

介绍了薄膜异质结CuInS_2(CuInSe_2)/CdZnS太阳电池的结构、制备工艺及该电池的进展与大规模生产的设想。

高温退火对多晶硅太阳能电池性能的影响

提高多晶硅太阳能电池电性能的一种有效方法——高温退火法,讨论了晶界对太阳能电池性能的影响,并给出了退火后多晶硅薄膜的测试结果。

薄膜Cu_2S-CaS太阳电池栅极材料的研究

薄膜 Cu2S-CdS 太阳电池的电性能参数与 P 型 Cu2S 层接触的栅极关系极大,电池的稳定性在某种程度上也取决于收集栅极的材料。Delaware 和 Stuttgart 大学[1,2]为了改善电池的稳定性,曾在 Cu2S 层蒸镀0.1nm 数量级的 Au,然后再粘网状 Cu 栅极,使电池性能有了改进。目前多采用 Cu 栅或者 Au 栅。

硫化亚铜电池电极材料的研究

本文对薄膜Cu_2S-CdS太阳电池的十种栅极材料(Au、Ag、Cu、Al、Zn、Ni、Ga、ln、Cd和Ti)进行了评价,采用Ni栅极材料制作的电池,最佳电性能参量为:V_(oc)=470mV,I_(sc)=24.3mA/cm^2,FF=62％,η=6.15％,它有希望作为薄膜Cu_2S-CdS太阳电池栅极,代替价格昂贵的金栅极。采用ESCA技术分析了铝栅极材料性能欠佳的原因,指出材料的表面氧化作用导致了电池串联电阻的增加。