湿法腐蚀GaP对LED性能的影响

采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO3∶H2O体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未进行粗化的样品亮度提升25%左右。并且腐蚀小孔的深度会随着反应时间的增加而逐渐加深,但样品的发光亮度则表现为先增加后减小。湿法腐蚀因其操作简单,成本低廉,反应条件易控,可适用于工业化大批量生产。

红光LED尺寸对ITO电流扩展的影响

采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层。研究了该LED结构中,不同的芯粒尺寸对ITO电流扩展的影响。结果表明,在电极尺寸一定的情况下,随着芯粒尺寸的变大,ITO电流扩展层对芯粒发光强度的变化起到显著的效果;在电极直径大小为90μm,芯粒尺寸为190μm×190μm时,电流扩展效果最优,亮度增加18.80%,而当芯粒尺寸增大到220μm×220μm时,亮度增加17.01%,其相对电流扩展效果下降。选取适当芯粒尺寸对ITO的电流扩展至关重要。