基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计

SiC MOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时,对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由于Si技术的驱动芯片和隔离芯片的耐温最大不超过125℃,本研究提出了一种使用脉冲变压器配合基于Si材料的分立器件实现的隔离驱动电路,能够提供与商业化驱动电路同等的驱动电流与上升下降时间。所提出的分立器件驱动电路经Saber仿真验证,并于SiC功率模块上进行双脉冲实验评估。仿真和实验结果证明了所提出的驱动结构对SiC MOSFET驱动的效果。

台北夜酌剑南春

夜行的雪佛莱小轿车在台北五光十色的街道上缓行。 回到皇冠饭店,已是晚上十点多。正想收拾一下行李,门铃响了。来者不是别人,是我多年不见的朋友,台湾中华文化促进会的李合郑、张丰茂两先生。 我把客人让进屋来。