微腔等离子体晶体管综述

微腔等离子体器件(MPD)具有高功率,耐高温高辐射,抗电磁干扰等特点,在推进、控制、高功率电磁波放大等方面有着重要的应用价值。本文介绍了近年MPD的发展及特点,尤其是微腔等离子体在晶体管器件研究中的发展概况。通过介绍等离子体双极型晶体管和等离子体场效应晶体管的器件结构、工作原理及工作特性,阐明了微腔等离子体器件在晶体管应用方面的研究意义。

用奋斗发声 唱响美好人生

我出生于白银市靖远县王家山煤矿,有一个温馨的四口之家,爸爸、妈妈、姐姐和我。父亲是工人,微薄的收入勉强维持着家庭的基本开销。尽管生活并不富裕,但是父母对我和姐姐的教育颇为在意。为了让我和姐姐接受到更好的教育,在我们懂事之日起,我们便搬家到了县城居住。为了更好地照顾姐姐和我,妈妈很早便辞去了工作,全心的在家照顾我和姐姐的起居生活,而爸爸则在百公里外的煤矿继续打工赚钱。

纳秒脉冲驱动下铝基微沟道等离子体放电特性研究

本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性。通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律。结果表明,相比于传统的正弦波驱动,纳秒脉冲微沟道等离子体放电更集中,耦合效应更明显,且等离子体特性更易于调控。当改变脉冲参数时,6%左右的波形过冲电压会造成微沟道等离子体放电强度~30%的改变。另外,脉冲上升沿时间越短,放电强度越高,当上升沿时间由152 ns缩短至32 ns时,放电强度可提升~30%。

快速热处理方法对铟镓锌氧化物薄膜晶体管特性的改善

为了达到在短时间内提高铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)性能的目,本文提出了一种快速热处理(RTP)的后处理方法,并对其升温时间进行研究。实验结果表明RTP工艺能够在短时间内实现a-IGZO薄膜内部的缺陷复合与断键重连,提升a-IGZO薄膜质量,从而提高a-IGZO TFT的器件性能。基于RTP工艺的a-IGZO TFT获得了良好的电学特性,其阈值电压与亚阈值摆幅低至0.2 V与0.31 V·decade-1,与未退火的a-IGZO TFT相比分别降低了67%与77%;其载流子迁移率与开关电流比高达8.7 cm2/Vs与7.8×106,与未退火样品相比分别提升了171%与1.1×103倍。与此同时,RTP的处理时间仅需不到5 min,大幅度缩短了a-IGZO TFT所需的后处理时间。

电催化金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线/多孔硅复合结构

量子限制效应使硅纳米线具有良好的场致发射特性,结合多孔硅的准弹道电子漂移模型可提高场发射器件的性能。传统的金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的效率较低,本研究在传统方法的基础上引入恒流源,提出电催化金属辅助化学刻蚀法,高效制备了硅纳米线/多孔硅复合结构。在外加30 mA恒定电流的条件下,硅纳米线的平均制备速率可达308 nm/min,较传统方法提升了173%。研究了AgNO_(3)浓度、刻蚀时间和刻蚀电流对复合结构形貌的影响规律;测试了采用电催化金属辅助化学刻蚀法制备样品的场发射特性。结果显示样品的阈值场强为10.83 V/μm,当场强为14.16 V/μm时,电流密度为64μA/cm^(2)。

The regulation of memory effect and its influence on discharge properties of a dielectric barrier discharge driven by bipolar pulse at atmospheric-pressure nitrogen

The regulation of memory effect that the residual charges generated during and after discharge act on the initiation and development of subsequent discharge is explored by adjusting the pulse parameters,which have an influence on the discharge characteristics.The memory effect is quantified by the measurement of‘wall voltage’through a series of reference capacitors.The influences of memory effect on the discharge properties corresponding to rising/falling time50–500 ns,pulse width 0.5–1.5μs,and frequency 200–600 Hz are analyzed.It is found that the‘wall voltage’increases from 1.4 kV to 2.4 kV with rising/falling time from 50 ns to 500 ns,it varies in the range of 0.18 kV with frequency of 200–600 Hz,and 0.17 k V with pulse width of 0.5–1.5μs.The propagation velocity of wavelike ionization under the negative pulse slows down from 2184 km s-1to 1026 km s-1 as the rising/falling time increases from 50 ns to 500 ns due to the weakening of the electric field by the surface memory effect.More intense and uniform emission can be achieved through faster rising/falling time and higher frequency based on the volume memory effect,while pulse width has less influence on the emission uniformity.Furthermore,similar laws are obtained for spectral and discharge intensity.Therefore,the memory effect is most effectively regulated by rising/falling time,and the discharge properties are affected by the surface and volume memory effect.

一种抖动与孤立像素点分离相结合的灰度级增强方法

为了使由等离子体显示器(PDP)反γ校正和有限灰度级显示方法引起的灰度损失得到改善,在分析灰度损失原因及有序抖动和随机抖动特点的基础上,提出了一种抖动与孤立像素点分离相结合的灰度级增强方法。该方法首先采用有序抖动和孤立像素点分离对γ校正后的图像进行灰度增强;然后把图像数据映射到有限灰度级,计算有限灰度级与需要显示的灰度级之间的误差;最后采用随机抖动和孤立像素点分离对有限灰度级图像进行灰度增强。实验结果表明,反γ校正和有限灰度级图像的灰度均得到了显著增强,低灰度级和中高灰度级过渡平滑,没有周期性抖动噪声,孤立像素点的亮度显著降低,图像显示效果明显优于仅采用随机抖动或有序抖动的图像。