用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率

提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率，研究了测量的原理和方法．

GaAs中Te施主杂质的EER谱

本文用EER谱技术,在室温下对掺Te砷化镓(n=1×10^(18)cm^(-3))样品进行了测量,对杂质的ER谱结构E_1进行了分析,提出了电调制浅杂质态的物理模型,用F-K效应定性解释了杂质的ER谱.通过与未掺杂GaAs(n=7.7×10^(14)cm^(-3))的ER谱相比较,定出了E_1结构的线型及位置.

光调制反射光谱实验研究

通过室温下GaAs的PR谱与ER谱的比较,对PR谱的机理及线型分析作了有益的讨论,结果表明,PR谱具有电场调制的本质,可以用电场调制理论中的“三点法”来确定各临界点参量.

Bloch振荡研究进展

Ｂｌｏｃｈ振荡研究进展北京师范大学物理系王若桢当讨论晶体中电子在恒定外电场中的运动问题时，我们把能带中的电子近似看作有效质量为ｍ的经典粒子处理，从而得到等式其中，Ｆ为电场力，Ｆ＝－ｑＥ（Ｅ为电场强度）．上式表示电子在ｋ空间作匀速运动，这就意味着电子的...

玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质

用两步退火法在掺 Cd Se S的玻璃中制备了高密度的量子点 ,均匀性较好 .量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大 ,但组份基本不变 .研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系 ,证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关 .量子点尺寸越小 ,比表面积越大 。

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。

GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究

本文综述了有关新型的GaAs／AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作．双色探测器工作在3～5μm及8～12μm大气窗口波段范围，是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件．研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等．首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题．

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .

CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体的电光性质

对嵌埋于玻璃基体中的ＣｄＳ０．１Ｓｃ０．９纳米晶体进行了室温电调制透射谱测量，观察到较强的共振和非共振电光响应倚号（１０－４～１０－３）．共振电光响应具有如下特征：同一组分的纳米晶体其倩号的峰位随着尺寸减小向高能方向移动；同一样品谱线形状不随外电场强度而变；信号幅度与外电场强度的平方成线性关系，并且随调制频率的增加而减小；共振电光效应的物理机制是量子受限的Ｓｔａｒｋ效应．非共振电光响应信号呈与波长有关的振荡线形；外电场强度增加，非共振电光响应信号幅度也增加；用介电受限的局域场增强理论解释了非共振电光效应的物理机制．

半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究

利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法.

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下，采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R比较大的材料制备的量子点，其形状带来的影响是显著的．

介电受限对量子点中受限激子的影响

在有效质量近似下，采用有限深势阱模型研究了强受限范围内，介电受限对球形、立方形半导体量子点中受限激子的影响．结果表明在考虑表面极化效应以后，量子点的形状对受限激子的影响是不可忽略的．

CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体共振电光效应(英文)

采用电吸收谱 (EA)的方法研究了在电场作用下 ,Cd S0 .1Se0 .9纳米晶体光学性质的变化 .分析了电场效应的物理机制 ,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动 .第一激发态对外加电场敏感 ,而其它激发态不敏感 .从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比 ,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应 ,具有三阶非线性极化率 χ( 3) .

InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应

本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。

稀磁ZnO纳米颗粒的生长和性能

利用Zn、Fe、Mn、Co的铜铁试剂盐为前驱体,胺为表面包裹剂,在200℃N2保护下生长了2%的过渡金属离子掺杂的ZnO稀磁纳米晶体,研究了纳米晶体的结构、形态、光学和磁学性能。所有ZnO纳米晶体均为近圆形的颗粒,晶体结构为六角纤锌矿结构,无其他氧化物相的析出,但过渡金属离子的掺入使纳米颗粒的尺寸增大。在掺杂纳米颗粒的吸收谱和发射谱中均可以观察到明显的激子吸收和发射峰,所有纳米颗粒在温度高于43K时只有顺磁性。

InGaAs－GaAs 短周期应变层超晶格调制反射光谱中的 Franz－Keldysh 振荡

本文在Ｐ－ｉ－ｎ结构的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡，通过对Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡的分析，推算出超晶格区内建电场大小；讨论了内建电场对超晶格微带电子的影响，最后指出Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡可以作为检验短周期超晶格样品质量的一种手段．

波长调制光谱实验技术的研究

介绍了波长调制谱的基本原理和它的应用,详细讨论了振荡狭缝的制作技术,利用该系统作了层状化合物半导体MoS_2的室温波长调制光谱,在550～700nm范围内观察到一系列清晰的谱结构。

极化子效应对量子线中Stark效应的影响

采用变分法及介电连续模型研究了量子线中的Ｓｔａｒｋ效应，分别计算了受限ＬＯ声子及表面声子对Ｓｔａｒｋ移动的修正．

国产ZnSe晶体的EER谱分析

本文报道了国产 ZnSe 材料的 EER 谱研究结果.确定了室温下 ZnSe 材料的 E_ο和E_ο+△_ο带隙能量和自旋一轨道分裂参数△_ο.利用测得的寿命展宽参数Γ对晶格完整性进行评价,结果表明国产 ZnSe 具有很好的晶格完整性.

GaAs掺杂超晶格的PR谱研究

本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV～1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV～3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect).