高密度3-D封装技术的应用与发展趋势

高密度3-D封装技术是国内外近几年飞速发展的微电子封装技术。它在2-D平面基础上向立体化发展,实现了一种新的更高层次的混合集成,因而具有更高的组装密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟等优势。该技术正在加速未来电子整机系统的微小型化。主要介绍了近年来3-D封装应用状况和一种新型的封装技术——系统上封装SOP(System-on-Package)。

基于LTCC技术的WLAN射频前端的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)集成技术,设计和制作了具有立体化新型结构的无线局域网(WLAN)射频前端,并对制得的产品模块进行了测试。结果表明:采用LTCC技术制得的WLAN射频前端的外形尺寸仅为29 mm×18 mm×5 mm,远小于传统同类型WLAN射频前端的尺寸。在2.4～2.5 GHz的工作频率范围内,所制WLAN射频前端的最大输出功率为27 dBm,噪声系数小于1.7 dB,接收增益大于15 dB,发射增益大于20 dB。