化合物半导体发展现状分析

化合物半导体作为宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合材料。2020年全球化合物半导体的市场规模约为440亿美元,2020年之后其市场需求随着5G商用、汽车电动化、人工智能将呈现持续性增长趋势。化合物半导体的主要材料包括砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅及以金刚石,氧化镓为代表的超宽禁带化合物半导体。化合物半导体的主要器件包括射频器件、光电器件和功率器件,在国防、航空航天、石油勘探、宽带通讯、汽车制造、智能电网等领域有重要应用。化合物半导体的发展需要产业界的协同创新,既要与科研院所进行产学研联合,也要贴切下游的应用企业需求。

三五族器件技术与产业趋势报告

以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功率等条件的新要求,在通信技术、汽车电子领域成为发展前沿。随着5G、新能源汽车、太阳能、节能(快充)技术的迅速发展,三五族化合物市场将持续增长。GaAs、InP和GaN器件技术与产业在射频、光电和功率器件应用方面发展趋势乐观。