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700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
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作者 王邦麟 程东方 +1 位作者 徐志平 关彦青 《微计算机信息》 北大核心 2006年第10S期134-136,共3页
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。
关键词 LDMOS 饱和栅压 等效电路模型
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用TCAD进行IC新工艺的开发 被引量:6
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作者 关彦青 程东方 王邦麟 《微计算机信息》 北大核心 2006年第10S期131-133,169,共4页
文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平... 文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。 展开更多
关键词 虚拟FAB 工艺辅助设计 高压BCD工艺
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SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计
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作者 王邦麟 苏庆 +2 位作者 金峰 李平梁 徐向明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期653-657,共5页
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和... 为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案。应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低。 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管 锗硅 静电保护 寄生电容 射频
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高压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究
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作者 徐向明 苏庆 +1 位作者 金锋 王邦麟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期257-261,共5页
研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS... 研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS的ESD泄放能力,并进一步总结了LDMOS器件的ESD性能的优化方向。 展开更多
关键词 高压横向扩散金属氧化物半导体 静电保护 器件优化 初始失效 二次触发
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