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700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
1
作者
王邦麟
程东方
+1 位作者
徐志平
关彦青
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期134-136,共3页
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。
关键词
LDMOS
饱和栅压
等效电路模型
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职称材料
用TCAD进行IC新工艺的开发
被引量:
6
2
作者
关彦青
程东方
王邦麟
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期131-133,169,共4页
文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平...
文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。
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关键词
虚拟FAB
工艺辅助设计
高压BCD工艺
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职称材料
SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计
3
作者
王邦麟
苏庆
+2 位作者
金峰
李平梁
徐向明
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期653-657,共5页
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和...
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案。应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低。
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关键词
异质结双极型晶体管
锗硅
静电保护
寄生电容
射频
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职称材料
高压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究
4
作者
徐向明
苏庆
+1 位作者
金锋
王邦麟
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期257-261,共5页
研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS...
研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS的ESD泄放能力,并进一步总结了LDMOS器件的ESD性能的优化方向。
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关键词
高压横向扩散金属氧化物半导体
静电保护
器件优化
初始失效
二次触发
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职称材料
题名
700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
1
作者
王邦麟
程东方
徐志平
关彦青
机构
上海大学微电子中心微电子与固体电子学
出处
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期134-136,共3页
基金
上海市教委204453项目即单片高压集成电路设计与研究
文摘
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。
关键词
LDMOS
饱和栅压
等效电路模型
Keywords
LDMOS, Saturation voltage of gate, sub-circuit model
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
用TCAD进行IC新工艺的开发
被引量:
6
2
作者
关彦青
程东方
王邦麟
机构
上海大学微电子研究与开发中心
出处
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期131-133,169,共4页
基金
上海市教委的资助(编号20443)
文摘
文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。
关键词
虚拟FAB
工艺辅助设计
高压BCD工艺
Keywords
Virtual FAB, TCAD, High voltage BCD process
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计
3
作者
王邦麟
苏庆
金峰
李平梁
徐向明
机构
上海华虹NEG电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期653-657,共5页
文摘
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案。应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低。
关键词
异质结双极型晶体管
锗硅
静电保护
寄生电容
射频
Keywords
heterogeneous bipolar transistor(HBT)
SiGe
electrostatic discharge(ESD) protection
parasitic capacitance
RF
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究
4
作者
徐向明
苏庆
金锋
王邦麟
机构
上海华虹NEC电子有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期257-261,共5页
文摘
研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技术(TCAD)仿真、传输线脉冲(TLP)测试以及失效分析(FA)等手段,改善了其初始失效问题。同时大幅提升了LDMOS的ESD泄放能力,并进一步总结了LDMOS器件的ESD性能的优化方向。
关键词
高压横向扩散金属氧化物半导体
静电保护
器件优化
初始失效
二次触发
Keywords
HV LDMOS
ESD
device optimization
initial failure
secondary trigger
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
王邦麟
程东方
徐志平
关彦青
《微计算机信息》
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
2
用TCAD进行IC新工艺的开发
关彦青
程东方
王邦麟
《微计算机信息》
北大核心
2006
6
下载PDF
职称材料
3
SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计
王邦麟
苏庆
金峰
李平梁
徐向明
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
4
高压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究
徐向明
苏庆
金锋
王邦麟
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
已选择
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