还原炉内炽热多晶硅电阻率的测定与计算

在实际生长过程中,控制硅棒表面温度在1050℃±20℃的范围内,测定了生长过程中直径在Φ25mm~Φ130mm时所对应的电压U和电流I值。在此基础上,计算了多晶硅的电阻率σ约为0.00905Ω.cm。同时通过数据分析与拟合,对文献中σ-T曲线在≥700℃范围内进行了公式推导,发现当温度升高到杂质饱和电离温度后,σ与1/T成线性关系,并计算了1050℃时的电阻率为0.00973Ω.cm,与实测值相对误差仅6.99%,结果可供还原炉UI曲线设计时参考。