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题名Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展
被引量:1
- 1
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作者
王醉
马锡英
宋经纬
陈中平
杨爱国
姚江宏
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机构
南开大学物理科学与技术学院
绍兴文理学院光电材料研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期404-409,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60776004)
浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)
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文摘
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。
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关键词
半导体纳米晶体
掺杂
光电特性
胶体法
掺杂机制
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Keywords
semiconductor nanocrystals
doping
optical and electronic characteristics
colloidal method
doping mechanism
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分类号
TN383
[电子电信—物理电子学]
TN304.25
[电子电信—物理电子学]
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题名热氧化法制备ZnO纳米晶体、纳米线
被引量:1
- 2
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作者
陈忠平
王醉
徐泓
吴金姿
周祥
马锡英
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机构
绍兴文理学院
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出处
《大学物理实验》
2010年第1期9-11,15,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(No.60776004)
浙江省新苗计划资助项目(No.2008R40G2180006)
绍兴市大学生科技创新计划资助项目
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文摘
以高纯Zn块为源材料,通过热氧化法制备了纳米ZnO薄膜。在950℃的温度和一定的压力条件下,通过改变生长时间,分别制备了ZnO纳米晶体、纳米纤维和纳米线。应用扫描电镜观察发现,在恒温生长条件下,纳米ZnO具有定向生长的趋势。随生长时间的延长,纳米晶体定向生长为纳米纤维,最后生长为超长的纳米线。
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关键词
纳米ZNO
热氧化
温度
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Keywords
nano-ZnO thermal oxidation temparature
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分类号
O472
[理学—半导体物理]
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