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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展 被引量:1
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作者 王醉 马锡英 +3 位作者 宋经纬 陈中平 杨爱国 姚江宏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期404-409,共6页
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在... 介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。 展开更多
关键词 半导体纳米晶体 掺杂 光电特性 胶体法 掺杂机制
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热氧化法制备ZnO纳米晶体、纳米线 被引量:1
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作者 陈忠平 王醉 +3 位作者 徐泓 吴金姿 周祥 马锡英 《大学物理实验》 2010年第1期9-11,15,共4页
以高纯Zn块为源材料,通过热氧化法制备了纳米ZnO薄膜。在950℃的温度和一定的压力条件下,通过改变生长时间,分别制备了ZnO纳米晶体、纳米纤维和纳米线。应用扫描电镜观察发现,在恒温生长条件下,纳米ZnO具有定向生长的趋势。随生长时间... 以高纯Zn块为源材料,通过热氧化法制备了纳米ZnO薄膜。在950℃的温度和一定的压力条件下,通过改变生长时间,分别制备了ZnO纳米晶体、纳米纤维和纳米线。应用扫描电镜观察发现,在恒温生长条件下,纳米ZnO具有定向生长的趋势。随生长时间的延长,纳米晶体定向生长为纳米纤维,最后生长为超长的纳米线。 展开更多
关键词 纳米ZNO 热氧化 温度
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