平均血小板体积/淋巴细胞比值与老年非瓣膜性心房颤动患者左心房血栓形成的关系

目的探讨平均血小板体积/淋巴细胞比值(MPVLR)与老年非瓣膜性心房颤动(NVAF)患者左心房血栓形成的关系。方法将2019年1月至2022年12月该院收治的178例老年NVAF患者纳入研究。根据食管超声心动图(TEE)判断患者左心房血栓形成情况,将患者分为血栓组(28例)和非血栓组(150例)。采用全自动血细胞分析仪检测白细胞计数(WBC)、红细胞计数(RBC)、淋巴细胞计数、淋巴细胞比例、血小板计数(PLT)、平均血小板体积(MPV)并计算MPVLR。采用全自动生化分析仪检测肝、肾功能指标及血脂指标。采用受试者工作特征(ROC)曲线评估MPV、淋巴细胞比例、MPVLR对NVAF患者左心房血栓形成的预测价值。采用多因素Logistic回归分析老年NVAF患者左心房血栓形成的影响因素。结果血栓组MPV、淋巴细胞比例、MPVLR均高于非血栓组,差异均有统计学意义(P<0.05)。ROC曲线分析显示,MPV、淋巴细胞比例、MPVLR预测NVAF患者左心房血栓形成的曲线下面积(AUC)分别为0.821(95%CI:0.764~0.882)、0.771(95%CI:0.714~0.842)、0.901(95%CI:0.861~0.949)。血栓组病程长于非血栓组,有慢性心力衰竭者比例、有脑卒中者比例、CHA2DS2-VASc评分、LAEF、LAD、LVEDV、MPVLR、血尿酸、MPV、淋巴细胞比例、MPVLR均高于非血栓组,LVEF低于非血栓组,差异均有统计学意义(P<0.05)。多因素Logistic回归分析显示,病程≥1.93年(OR=3.050,95%CI:1.928~4.824)、慢性心力衰竭(OR=3.333,95%CI:1.808~6.144)、MPVLR≥3.10(OR=3.873,95%CI:1.734~8.650)是老年NVAF患者左心房血栓形成的独立危险因素(P<0.05)。结论MPVLR升高与老年NVAF患者左心房血栓形成存在关联,可作为预测患者左心房血栓形成的指标。

基于时间序列的红外探测器响应特性漂移评价

红外探测器响应特性漂移严重影响成像质量和系统性能。针对红外探测器响应特性漂移缺乏有效评价指标、难以建模和评价的问题,本文将红外探测器输出的序列图像看作时间序列数据,基于时差图像定义漂移度和漂移熵评价指标,用于评价红外探测器响应特性漂移程度,并提出了一种基于时间序列预测的红外探测器响应特性漂移评价方法。采用仿真数据和真实数据进行实验,结果表明,本文提出的漂移度和漂移熵评价指标可以有效度量响应特性漂移程度,所提出的评价方法可以实现对红外探测器响应特性漂移的建模和有效预测评价,研究工作可用于辅助选择合适的红外探测器及其非均匀性校正算法以提高红外成像系统性能。

血浆置换对重型肝炎患者凝血功能的影响

目的观察血浆置换治疗前、后重型肝炎患者凝血功能变化的临床意义。方法将36例重型肝炎患者在综合治疗的基础上经血浆置换,通过观察治疗前、后凝血功能和肝功能指标的变化,判断分析血浆置换治疗重型肝炎的临床疗效。结果经血浆置换治疗后,重型肝炎患者的凝血功能和肝功能有明显改善。凝血酶原时间(PT)、凝血酶时间(TT)、活化部分凝血酶原时间(APTT)较治疗前均有不同程度的缩短(P<0.05);白蛋白(Alb)及胆碱酯酶(CHE)较治疗前明显升高(P<0.05);血清总胆红素(TBil)、丙氨酸氨基转移酶(ALT)、天门冬氨酸氨基转移酶(AST)和尿素氮(BUN)水平较治疗前明显下降(P<0.05)。结论血浆置换治疗能改善重型肝炎患者的凝血功能和肝功能,在综合治疗的基础上血浆置换是治疗重型肝病一种有效的手段;而且这些指标的提升是重型肝炎患者好转的重要指标,动态观察上述指标的变化能有效判断重型肝炎患者的病情进展和预后。

双色红外焦平面阵列读出电路设计

根据P-N-N-P型叠层双色红外焦平面阵列探测器结构及其等效电路,提出了一种128×128同时积分、同时读出型双色红外焦平面读出电路原理及实现方式。单元电路采用直接注入结构作为输入级,在给定的单元面积内获得了较大的积分电容,满足了单元电路内中、短波两个独立的积分信号通道的需求。仿真结果表明该电路满足预定的设计要求,积分时间可调,读出速率大于等于5 MHz,中、短波输出电压的线性度均达到99%以上,功耗约68 mW。

高血压、糖尿病血液流变学指标分析

目的观察高血压、糖尿病患者的血液流变学指标变化。方法对本院2006年5月1日—2007年10月1日住院的225例高血压、糖尿病患者进行血液流变学检测,并与健康对照组进行比较。结果高血压、糖尿病患者的全血黏度、血浆黏度、红细胞压积、血沉、纤维蛋白原均明显高于健康对照组(P均<0.05)。结论对高血压、糖尿病患者进行血液流变学分析,在临床中有较重要的应用价值。

高胆红素血症对Coulter血液分析仪白细胞分类的影响

黄疸型肝病是指肝脏疾病时血清总胆红素高于正常参考值而出现高胆红素血症。使用Coulter血液分析仪测定黄疸型肝病患者的白细胞时,增高的胆红素会影响计数和分类而产生较大的误差。如果操作者不注意,发出的报告是很不准确的,严重影响临床对患者的治疗,尤其在肝病专科医院或肝病专科病房,这种化验结果会经常出现,

焦平面探测器测试系统有源低通滤波器设计

低漂移、低噪声的直流偏置电压是红外焦平面探测器测试系统的重要组成部分。根据探测器测试系统的具体需求,设计出一种七阶无漂移全极点有源低通滤波器。对电路的交流仿真结果表明所设计的滤波器满足设计要求,能有效抑制工频与高频噪声干扰;对滤波器的衰减特性和传输特性进行Monte-Carlo分析,得出此滤波器元件具有统计灵敏度低的优点;最后就电阻元件对输出信号噪声的影响进行分析,得到了各电阻对输出信号的噪声影响和输出信号的总噪声功率谱密度曲线。

面阵探测器相连缺陷元识别定位

面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元.针对相连缺陷元的特点,提出了借助改变面阵探测器光电响应的方法来实现相连缺陷元的识别定位.实验结果表明,该方法使面阵探测器分为两个不同透过率探测单元,多元相连缺陷元响应电压是相对应的两个不同透过率探测单元响应电压之和的平均值.采用MATLAB软件对测试数据进行分析处理,分析结果清晰给出缺陷元诸如个数、形状和位置等详细信息.采用本方法面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别定位.研究结果为今后的面阵探测器评测与可靠性提高提供了参考.

用响应和串音识别焦平面探测器相连缺陷元研究

采用高倍光学显微镜和焦平面探测器测试系统对焦平面探测器相连缺陷元进行了测试分析,研究了焦平面探测器相连缺陷元的成因。研究结果表明:借助高倍光学显微镜很难识别相连缺陷元;采用焦平面探测器响应测试系统进行测试时,相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,相连缺陷元无法被识别;采用焦平面探测器串音测试系统进行测试时,相连缺陷元之间串音为100%,明显不同于正常元,此时两元相连缺陷元响应电压是正常元响应电压的二分之一,相连缺陷元可以被有效识别。光刻腐蚀引入的台面或电极相连,以及光刻剥离引入的铟柱相连导致了缺陷元的产生;通过光刻腐蚀、剥离工艺优化,可以有效减少焦平面探测器相连缺陷元。

偏压等参数对光导PbS焦平面探测器性能的影响

光导焦平面探测器的性能同其偏压及读出电路的工作参数密切相关。本文研究了采用CTIA型读出电路的1×128线列光导PbS焦平面探测器工作时,探测器偏压、积分时间和读出电路偏置电压对探测器信号、噪声及探测率的影响。实验结果表明：探测器信号、噪声及探测率均随探测器偏压增长而增加,存在一个最佳偏压3 V,使得探测器探测率达到最大;当超过此偏压后,信号电压增量减小,噪声电压增量增加;存在一个最佳积分时间50μs,此时探测器探测率达到最大;存在一个可使用的读出电路偏置电压范围3.35~3.85 V,在此范围内,信号和噪声均随读出电路偏置电压的增加而减小,但探测器探测率基本不变。研究结果对寻找光导PbS焦平面探测器最佳工作条件具有指导意义。

CTIA型红外焦平面阵列非均匀性研究

根据CTIA型红外焦平面阵列的工作原理,分析了非均匀性的来源:探测器芯片、CTIA运算放大器的输入失调电压以及读出电路的积分电容。对这几种因素造成的非均匀性进行了分析、计算和实际测试。最后,提出了使焦平面阵列非均匀性最佳的探测器工作偏置区间。

光导PbS焦平面探测器制备中负载电阻的选取

负载电阻分流方式通常用于消除光导PbS探测器的背景电流,其中各探测单元光敏元电阻与相对应负载的阻值可以相等,也可以成一固定比例。为研究不同负载电阻均可应用于光导PbS焦平面探测器,采用尺寸同为100μm×100μm的光敏元、分别为100μm×100μm和200μm×50μm的负载研制了线列1×128光导PbS红外焦平面探测器。利用红外焦平面测试系统对不同负载电阻制备的器件性能进行了测试与分析。研究表明,采用不同负载电阻均获得了性能正常的器件;在相同的光敏元工作参数下,器件的平均黑体响应率、平均黑体探测率基本一致,负载对其均无影响。研究结果验证了仅通过调节负载电阻即可使器件背景输出电平平坦化的可行性。

贫血患者红细胞输注无效的影响因素分析及预测模型构建

目的 分析贫血患者红细胞输注无效的影响因素,并构建Nomogram预测模型。方法 选取2021年6月至2022年6月绍兴文理学院附属医院收治的贫血患者192例,根据红细胞输注效果分为输注无效组(n=35)和输注有效组(n=157)。分析两组患者一般临床资料的差异,并构建Nomogram预测模型,通过受试者工作特征(ROC)曲线分析各因素的最佳截断值,多因素Logistic分析影响贫血患者红细胞输注无效的独立风险因素。结果 两组性别、既往输血次数、既往输血量、妊娠史、感染、发热、肝脾肿大、红细胞储存时间长、血红蛋白、总胆红素差异均有统计学意义(均P<0.05)。既往输血量> 10U、感染、发热、肝脾肿大、红细胞储存时间长是贫血患者红细胞输注无效的独立危险因素(均P<0.05)。以这些危险因素为预测因子,构建贫血患者红细胞输注无效的Nomogram预测模型,其C-index为0.813(0.736~0.920)。风险阈值> 0.21时,此预测模型所提供的临床净收益较高。结论 既往输血量> 10U、感染、发热、肝脾肿大、红细胞储存时间长是贫血患者红细胞输注无效的独立危险因素,基于此构建的Nomogram预测模型为贫血患者红细胞输注疗效的防治提供策略指导。

做人之本 为政之道 成事之要

“百度”一下，在政治热词的排行榜上，“三严三实”无疑名列前茅。习总书记提出“严以修身、严以用权、严以律己，谋事要实、创业要实、做人要实”，言简意赅、语重心长，切中时弊、思想深邃，集中阐述了共产党人“质”的规定性和应当具备的“本真”要求，从理想信念、党性修养、宗旨意识、道德情操、为政之要、为人准则、责任担当等多个层面，指明了在新的历史条件下党员干部的做人之本、为政之道、成事之要。

立起“高标准” 行动“过得硬”

古往今来多少人和事，充分证明了“取法于上，仅得其中；取法乎中，故为其下”，标准高低影响终端成果。思想是根，标准是本，“较高的工作标准是一种动力”，体现精神状态，决定工作成效。无论干什么，在标准上留有余地，舒适度有了，势必贻误事业。正在深入开展的“三严三实”教育，适应进行具有许多新的历史特点的伟大斗争的迫切需要，回应了人民群众的深度关切。

大数据“杀熟”中的消费者求偿权保护研究

大数据“杀熟”行为破坏了行业秩序,也侵害了消费者的权益。在实践中,求偿依据的缺失、退货保价需求的现实障碍、消费者的举证困境,都给大数据“杀熟”行为模式下的消费者求偿权保护造成一定的阻碍。基于此种情况,文章从明确行为性质界定、完善保价机制、健全司法救济三方面,进一步探究大数据“杀熟”中进行消费者求偿权保护的具体路径。

“官念”杂侃

当官最初是件苦差事,喜欢干的人并不多。据韩非子《五蠹》篇载:尧之王天下也,采椽不(?)粝粢之食,藜藿之羹,冬日麑裘,夏日葛衣,虽监门之服养,不亏于此矣。禹之王天下也,身执耒臿以为民先,股无,胫不生毛,虽臣虏之劳,不苦于此矣。尧、禹是富有天下的“一把手”,过的什么日子?官当到这个境界,吃亏大大的,还有什么吸引力。固此,不少人视当官为畏途。一个叫善卷的,听说“舜以天下让之“,推辞不掉,“遂入深山,莫知其所终”;还有一位更绝,“负子携妻以入海,终身不返”。看来,那时当官并不舒服,凡事要率先垂范,耐得“臣虏之劳”,无什么特权可享,不过是“监门服善”,名副其实的吃苦在前,享受在后。时人对当官漠然处之乃至断然拒之,也不值得大惊小怪的。在这种“官念”即是为民的氛围下,如果此时讲什么淡化“官念”,反倒让人不可思议。再说,那时的“公仆意识”也强,爱民为民不含有做作虚伪的水份,“禹思天下有溺者,犹已之溺也”,治水“三过家门而不入”。象这种人,“官念”强些实在是百姓、国家之幸。

ZnO纳米线的合成与生长机理

采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线，以覆盖一层约5nm厚的Ag薄膜的单晶Si（001）为衬底，纳米线的生长遵循气-液-固（VLS）机理。对得到的样品采用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）进行晶体结构和形貌的表征。XRD结果表明衬底温度在600-700℃时生长的ZnO纳米线具有六方结构和统一的取向。通过扫描电子显微镜分析，比较了生长温度对纳米线直径和长度的影响。实验表明我们可以通过催化剂和温度来实现ZnO纳米线生长的可控。与传统的VLS生长方式不同的是在我们制备的ZnO纳米线顶端并没有看到催化剂颗粒，表明纳米线的生长方式是底部生长，我们对其生长机理进行了研究。

红外焦平面阵列读出电路非均匀性研究

读出电路对红外焦平面阵列成像系统的非均匀性有重要影响,采用动态非线性系统函数的泰勒级数建立功能电路单元的通用非均匀性模型,按照模拟型读出电路的一般结构建立读出电路的非均匀性模型,利用高斯噪声和柏林噪声模拟读出电路参数的空间随机分布,采用三维噪声的空间分量量化评估非均匀性,采用等长的矩阵模型简化阵列信号串行读出的时空转换过程,分析了噪声模型、多通道缓冲和响应非线性的非均匀特性,并指导某320×256阵列读出电路进行了非均匀特性仿真和优化。该方法能够对读出电路的非均匀性进行系统级仿真评估,并为其工程优化提供指导。

功率VDMOS器件的新型SPICE模型

为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.