复合助剂高能球磨对羰基铁粉低频吸波性能的影响

采用单一助剂硅烷偶联剂KH-560、表面活性剂硬脂酸钙和复合助剂（KH-560＋硬脂酸钙）分别通过高能球磨制备片状羰基铁粉吸波材料的样品,系统地分析研究样品的微观形貌、物相、电磁参数,并通过电磁场传输线理论模拟计算吸波涂层反射损耗。结果表明：与单一助剂样品相比,复合助剂样品团聚现象明显减少,形成了平整、光滑的片状结构;模拟计算在2 mm厚度下,反射损耗小于–10 d B,复合助剂样品带宽达到1 GHz（1.4～2.4 GHz）,且在2 GHz处的反射损耗峰值也达到–15 d B,均优于单一助剂样品。复合助剂的使用可以增强偶联剂和表面活性剂在片状羰基铁粉颗粒的表面包覆效果,达到更好的介电调控目的,提高低频吸波性能。

偶联剂处理对吸波材料电磁特性影响的研究进展

偶联剂是常见的表面改性剂,广泛应用在复合材料表面改性处理领域,其应用于吸波材料表面改性的技术也是吸波材料的研究热点之一。首先总结了制备方法、偶联剂的种类和添加量这些因素对偶联剂改性吸波材料电磁特性影响的研究现状,然后分析了这些因素对吸波材料的电磁参量调控的重要作用,最后展望了偶联剂处理技术改善吸波材料吸波性能的未来前景。

S波段高损耗吸波材料的制备与研究

采用高能球磨羰基铁粉添加偶联剂KH-560制备低频雷达波吸波材料,研究了不同球磨时间下获得的样品电磁参量变化规律,根据传输线理论模拟计算出吸波材料的反射损耗。结果表明:随球磨时间的增加,最大吸收峰向低频转移。球磨8 h后得到的吸波材料在膜厚为2.5 mm时,在2.3~3.0 GHz的S波段范围内,反射损耗RL<-15 dB;而在2.7 1GHz处反射损耗RL最低可达-34 dB。

吸波材料的高能球磨工艺研究进展

高能球磨法由于其便于控制、生产环保、成本低、效率高等优点成为制备吸波材料的一种重要方法。总结了近期高能球磨工艺在吸波材料领域的应用研究进展,表明高能球磨工艺在吸波领域,尤其是在制备具有形状各向异性的片状吸波材料领域,具有十分广阔的应用前景,展望了高能球磨工艺在未来吸波材料领域的发展前景。