完全型雄激素不敏感综合征合并无性细胞瘤一例

雄激素不敏感综合征(androgen insensitivity syndrome,AIS)临床较为罕见,早期诊断困难。报告1例完全型雄激素不敏感综合征(complete androgen insensitivity syndrome,CAIS)合并无性细胞瘤患者的诊治经过,患者因腹胀2 d,门诊行彩色超声提示盆腔肿物收入院,入院后先行盆腔肿物切除术治疗,因术前高雄激素血症原因不明,经染色体分析及基因检测最终明确诊断为CAIS合并无性细胞瘤,并最终行性腺恶性肿瘤根治术。目前该患者仍在密切随访中,病情稳定。通过回顾性分析该病例的临床特点及诊治经过,以期提高临床对于该病的认识。

CTA联合CIS在大脑中动脉闭塞致急性脑梗死侧支循环及预后评估

目的:探讨头颈部CT血管造影(CTA)联合毛细血管指数评分(CIS)在大脑中动脉闭塞(MCAO)致急性脑梗死(ACI)患者侧支循环与预后评估中的应用价值。方法:选取2021年1月-2023年3月河南省驻马店中心医院收治的MCAO致ACI患者90例为研究对象,根据CIS评分分为充盈良好组(n=58)与充盈不良组(n=32)。比较两组头颈部CTA与DSA检查结果,比较不同毛细血管充盈程度MCAO致ACI的检查指标、NIHSS评分。结果:以DSA检查结果为“金标准”,明确诊断有侧支循环患者58例、无侧支循环患者32例;头颈部CTA检查联合CIS评分检出阳性59例、阴性31例,与实际结果具有高度的一致性。头颈部CTA检查联合CIS评分评估侧支循环的灵敏度96.55%、准确度94.44%、阴性预测值93.55%均明显高于头颈部CTA检查的74.14%、72.22%、61.54%,亦明显高于CIS评分单独评估的84.48%、84.44%、75.00%,P均<0.05。治疗后两组NIHSS评分均依次降低,且充盈良好组治疗两周后NIHSS评分(4.46±1.25)分及治疗三个月后NIHSS评分(2.55±0.48)分均明显低于充盈不良组的(11.09±1.61)分及(10.23±1.17)分,P均<0.05。结论:头颈部CTA检查联合CIS评分较单独用CTA检查或CIS评估MCAO致ACI的侧支循环灵敏度及准确度更高,有助于早期个体化诊断、治疗及预后评估。

单粒子效应对卫星空间运行可靠性影响

主要论述单粒子效应对卫星中微电子器件的辐射损伤机理。提出提高集成电路抗单粒子翻转和单粒子闭锁的技术路径。

航天电子系统中的电子元器件辐射效应分析及抗辐射对策

本文对应用于航天电子系统的电子元器件在辐射环境下的性能退化模式及损伤机理进行分析,介绍提高元器件抗辐射能力的一些措施。

星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。

高功率微波和电磁脉冲对半导体器件辐射损伤的研究

主要讨论高功率微波(HPM)和电磁脉冲(EMP)对半导体分立器件和集成电路的辐射损伤机理。在此基础上提出有关对策,以便提高器件抗 HPM 和 EMP 的能力。

微电子器件塑封损伤机理分析

分析了塑封微电子器件的失效模式及损伤机理 ,在此基础上讨论了提高塑封器件可靠性的对策及应用前景。

微米纳米新型微电子器件可靠性技术发展方向研讨

介绍了新型微电子器件发展现状和主要技术，分析了微电子器件可靠性技术发展趋势，提出我国半导体器件可靠性技术发展对策和建议。

微电子机械系统的进展与应用前景

本文论述了MEMS的研究进展、设计思想。

SOI技术及其抗辐射加固性能研究

回顾了ＳＯＩ技术的发展过程，阐述了各种ＳＯＩ基本结构，分析了ＳＯＩ结构抗瞬时辐射加固的性能。

半导体分立器件的可靠性工艺控制方法

重点介绍了国内外半导体器件制造工艺与器件可靠性的相关性报道:工艺缺陷、微缺陷、关键工艺对器件质量和可靠性的影响及其控制方法;还介绍了关键工艺控制点的确定及其参数控制范围以及生产高质量、高可靠性器件的工艺环境的控制要求。

微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。

金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景

ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决，但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。

微电子器件主要失效模式与失效机理研讨

当前微电子器件已广泛应用于信息获取、信息传输、信息控制、信息处理等领域。在电子装备、家用电器、工业控制系统等运行过程中，经常发现由于一个电子器件的失效造成整机的严重故障甚至整机损坏。为了提高电子装备的可靠性，必须从根本上提高元器件的质量与可靠性。

ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究

主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理。实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平。

微波晶体管测试夹具技术的研究

微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。

GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究

介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损毁机理。通过对毁伤实验分析,进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效,对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义。GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下,获得的损伤阈值约为3.024μJ。在EMP负脉冲注入情况下,损伤阈值约为10.02μJ。初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤。

对网络环境下著作权保护的思考

本文从作品数字化性质、网络传输的性质。