期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
翻译硕士毕业论文选题来源和理论视角——以山东科技大学为例 被引量:2
1
作者 王防防 《文教资料》 2016年第19期106-107,共2页
近几年来翻译硕士的队伍越来越壮大,相应的翻译硕士毕业论文越来越受到重视。本文对2016年山东科技大学翻译硕士论文进行了调查研究,主要着手于选题来源和理论视角的分析。通过此次调研分析,作者总结翻译硕士学生毕业论文中常用的翻译... 近几年来翻译硕士的队伍越来越壮大,相应的翻译硕士毕业论文越来越受到重视。本文对2016年山东科技大学翻译硕士论文进行了调查研究,主要着手于选题来源和理论视角的分析。通过此次调研分析,作者总结翻译硕士学生毕业论文中常用的翻译材料和相应的理论视角,并指出其存在的问题,对以后的翻译硕士论文写作有一定的指导意义。 展开更多
关键词 翻译硕士毕业论文 选题来源 理论视角
下载PDF
用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
2
作者 李俊锋 马小龙 +1 位作者 王防防 许淼 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第7期460-473,共14页
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后... 在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后,对沟道区露出的Fin进行氢气(含氯基)热退火处理,在减小沟道区Fin的宽度、使沟道区Fin表面光滑的同时,保持源漏扩展区Fin的宽度不变。这种自对准的沟道缩小方法简单有效地解决了亚阈值特性和源漏扩展区寄生电阻对Fin宽要求不一致的问题,并改善了器件的拐角效应。这项工艺集成技术应用于栅长为25 nm^0.5μm的SOI-FinFET器件结构中,并测试得到了良好的器件电学特性。 展开更多
关键词 FinFET器件 SOI衬底 后栅工艺 选择性沟道缩小 亚阈值特性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部