pH对脉冲电镀锌–镍–锰合金的影响

在Q235钢表面脉冲电镀Zn–Ni–Mn合金,镀液组成和工艺条件为:ZnSO_4·7H_2O 43.1 g/L,MnSO_4·H2_O 59.2 g/L,NiSO_4·6H_2O26.3 g/L,Na_3C_6H_5O_7·2H_2O 176.5 g/L,NH_4Cl 30 g/L,H_3BO_3 30 g/L,十二烷基硫酸钠(SDS)0.1 g/L,p H 4.5~6.0,温度30°C,平均电流密度30 m A/cm^2,脉冲占空比20%,脉冲周期1 ms,时间20 min。研究了pH对合金镀层元素组成、沉积速率、表面形貌和耐蚀性的影响。结果表明,随p H增大,沉积速率减小;镀层中锰含量升高,锌、镍含量降低;耐蚀性先增强后减弱。p H为5.0时,所得Zn–Ni–Mn合金镀层平整致密,Zn、Ni和Mn的质量分数分别为85.71%、5.03%和9.26%,中性盐雾试验96 h的保护等级为5级。与Zn–Ni合金镀层(Ni质量分数为12.88%)相比,Zn–Ni–Mn合金镀层的腐蚀电位正移了85 mV,腐蚀电流密度低了约2个数量级,耐蚀性更优。

电沉积方式对铌表面熔盐渗硅的影响

采用由氯化钠、氯化钾、氟化钠和二氧化硅(摩尔比为1∶1∶3∶0.3)组成的熔盐,分别以直流、单脉冲、换向脉冲的电沉积方式在纯铌表面渗硅。对比研究了不同电沉积方式下所得渗硅层的厚度、成分、组织、相结构和抗氧化性。结果表明,渗硅层厚度按照单脉冲、换向脉冲、直流电沉积的方式依次降低。与直流和单脉冲电沉积相比,换向脉冲方式所得渗硅层的组织更加致密、平整。电沉积方式对渗硅层的相结构无影响,所得渗硅层均由单相Nb Si2组成,并在(110)和(200)晶面上择优生长。换向脉冲方式制备的渗硅层抗高温氧化性能最好。

Na_2B_4O_7在NaCl-KCl-NaF熔盐体系中的溶解度及溶解机理

采用等温饱和法研究了Na_2B_4O_7在NaCl-KCl-NaF熔盐体系中的溶解度。通过热力学及X射线衍射分析,确定了Na_2B_4O_7的溶解机理。结果表明:随温度的升高Na_2B_4O_7在NaCl-KCl-NaF熔盐体系中的溶解度增大,温度达到750℃时溶解度显著增大;Na_2B_4O_7在熔盐体系中的溶解平衡时间随温度的升高而缩短,温度达到750℃后在3.5h溶解均能达到平衡;Na_2B_4O_7在NaCl-KCl-NaF熔盐体系中的溶解机理为物理溶解。

镀液基本组成对脉冲电镀Zn-Ni-Mn合金镀层的影响

在硫酸盐-柠檬酸钠体系中脉冲电镀Zn-Ni-Mn合金镀层。采用扫描电镜、辉光放电光谱仪研究了主盐浓度比及柠檬酸钠含量对Zn-Ni-Mn合金镀层表面形貌、镀层中各元素含量及沉积速率的影响,并采用Tafel曲线法研究了镀层的耐蚀性。结果表明,主盐摩尔浓度比C_(Zn)^(2+)∶C_(Ni)^(2+)∶C_(Mn)^(2+)为3∶2∶7,柠檬酸钠含量为0.6 mol/L时能够得到晶粒细小、均匀、致密,锰含量与沉积速率相对较高的镀层,并表现出优异的耐腐蚀性能。

占空比对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响

采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了占空比对渗硅层成分、沉积速率、组织和相结构的影响,并考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,渗硅层成分不受占空比影响。随占空比的增大,渗硅层晶粒由细小变得粗大,渗硅层组织致密、平整。占空比对渗硅层相结构无影响,均由单相Nb Si2组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。Nb Si2渗硅层使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。

脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响

采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了脉冲频率对渗硅层沉积速率、成分、厚度、组织及相结构的影响,同时考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,频率对渗硅层成分无影响。随频率增大,渗硅层厚度和沉积速率均减小。频率由500Hz增大到1000 Hz时,渗硅层晶粒变得细小致密;超过1000 Hz后,晶粒则变得粗大。渗硅层相结构不受频率影响,均由单相NbSi_2组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。NbSi_2渗层的存在使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。

铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的扩散研究

采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层,对渗层的组织、成分及物相进行了检测,并对渗硅过程中硅的扩散行为进行研究。结果表明,渗硅层晶粒细小,无明显裂纹,均匀整齐,与基体结合紧密。渗硅层由单相Nb Si2组成。渗硅层厚度与沉积时间成抛物线关系,根据二者关系式计算出不同沉积温度下硅的扩散系数,并拟合得出脉冲电沉积时硅在铌基体中的扩散激活能为162 k J/mol。

NaCl-KCl-NaF熔盐体系初晶温度与成分配比关系的研究

采用差热分析法测定不同配比NaCl-KCl-NaF熔盐体系的初晶温度,利用混料设计中的对称—单纯形设计法,经回归分析,建立了该体系初晶温度与各组分含量之间具有高度显著性的回归方程。结果表明,当NaCl、KCl和NaF摩尔分数分别为0.45、0.45、0.10时,该体系的初晶温度最低。

电流密度对TC4钛合金表面熔盐电解渗硼的影响

以TC4钛合金为基体进行熔盐电解渗硼,利用辉光放电光谱仪（GDOES）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和显微硬度计研究电流密度对渗硼层厚度、成分、组织、相结构及硬度的影响。结果表明：电流密度在50～90 m A/cm2时,渗硼层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小,渗硼层厚度先增大后减小,电流密度为60 m A/cm2时渗硼层厚度最大。渗硼层不含Al,而V则易固溶于硼化物中。渗硼层主要由Ti B和Ti B2组成,在（111）晶面择优生长。渗硼层的显微硬度相对基体硬度提高了5倍。

电流密度对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响

采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面渗硅,利用辉光放电光谱仪(GDOES)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析不同电流密度对渗硅层厚度、成分、组织及相结构的影响,并对渗硅层的抗氧化性进行了研究。结果表明,渗硅层厚度随电流密度的增大而增加,超过100 m A/cm2厚度增加缓慢。渗硅层晶粒随电流密度的增加由粗大变得细小。渗层与基体结合紧密,渗层组织较均匀整齐,致密无孔洞。渗硅层由单相Nb Si2组成,在(110)和(200)晶面上择优生长。Nb Si2渗层提高了纯铌的抗氧化性。