小型化LTCC低通滤波器设计与制造工艺研究

设计了一种小型化的LTCC低通滤波器,采用LC集总元件完成原理图的设计与仿真,使用HFSS完成滤波器结构的三维电磁场仿真,最终在LTCC工艺线上完成加工制作。LTCC滤波器使用介电常数7.8、损耗角为0.006的生瓷片,内部导体电路印刷使用配套的银浆料,最终尺寸为3.2 mm×1.6 mm,厚度为1.4 mm,达到小型化的目的,可应用于移动通信等领域。

LED的LTCC封装基板研究

LTCC基板广泛应用于先进的LED封装技术。阐述了LED的陶瓷封装基板的特点,介绍了制造LTCC封装基板的生瓷片性能和制造工艺,通过对LTCC基板热电分离结构的优点分析,指出金属散热通孔是提高LTCC基板散热效果的关键原因,并展望了LTCC封装基板发展方向。

基于FPGA和MCU的激光成像雷达信号处理系统

介绍了成像激光雷达的原理,提出了一种以FPGA和MCU为核心的信号处理系统设计方案,设计了其硬件电路,编写了相应的FPGA程序和单片机程序,实现了时间间隔测量、强度信号A/D转换、命令响应和数据传输等功能.实验表明,其系统距离分辨误差小于10 cm,能够满足三维成像的要求.

LTCC滤波器综述及制造工艺研究

首先简述了目前LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷技术)滤波器的版图结构及其优劣,重点阐述了一种结构紧凑的600MHz低通滤波器的设计,及在这种滤波器制造过程中遇到的工艺难题及解决办法。该滤波器采用介电常数为7.8、损耗角正切为0.006的微波陶瓷材料,并用场路结合的方法完成其设计,整个器件的尺寸为5.1mm×3.3mm×1.6mm。运用矢量网络分析仪对加工出来的样品进行测试,通过测试数据可以看到,通带最大插入损耗为1.8dB,满足设计指标的要求。该滤波器尺寸小且具有良好的频率响应曲线,在小型化微波通信系统及雷达系统中有着广阔的应用前景。

热助推泵浦Nd∶YAG激光器热性能研究

采用热助推泵浦技术,实现了885 nm LD热助推泵浦的板条Nd∶YAG脉冲激光器运转。从粒子跃迁机理上对热助推泵浦方式做了理论分析,并通过实验验证了885 nm热助推泵浦相对于802 nm泵浦的优势。885 nm热助推泵浦的光光效率比802 nm泵浦方式提高了26%,废热产生则减少了约23%,结果表明热助推泵浦方案在热性能相对传统泵浦有明显的优势。

LTCC电路基板金层表面斑点问题研究

针对LTCC电路基板金层表面斑点问题开展研究,观察了LTCC电路基板表面斑点显微形貌,对斑点组成成分进行定性分析,推断出LTCC电路基板表面斑点形成的原因。分别采用化学清洗和重烧法去除基板表面斑点,对比了两种方法的实验结果,确定了一种去除斑点的有效方法。实验结果表明:LTCC电路基板金层表面红色斑点组成成分为Ag2S,采用重烧法可以消除表面斑点,不损害基板性能,斑点消除区金层金丝键合强度没有减弱并满足国军标使用要求。建议通过加强印刷、烧结环节过程把控,以及采用真空或氮气密封LTCC基板的方式,有效减少金层斑点的形成。

基于LTCC技术的无源气压传感器研制

介绍基于LTCC技术的无源气压传感器的基本原理和理论模型,主要制作工艺流程和关键工艺难点。研究了LTCC内埋型空腔的实现方法、牺牲层材料的选取和依据,并对无源气压传感器的理论模型进行仿真分析与实际测试。结果表明利用LTCC内置空腔技术研制的气压传感器测试结果与仿真分析吻合较好,谐振频率随外界压力的增大而减小,谐振频率随压力的变化近似于线性变化,在复杂环境内依然能够实现预期功能。

885nm LD热助推侧面泵浦Nd:YAG板条激光器

报道了一种新型的二极管泵浦全固态激光器,采用了热助推泵浦技术,用峰值功率为1600W的885nm半导体面阵侧面泵浦板条Nd:YAG晶体,获得了单脉冲能量110mJ的1064nm激光输出,光光效率为24%,斜率效率为34%。

LTCC基板化学镀镍镀钯浸金工艺研究

化学镀镍镀钯浸金(ENEPIG)具有良好的综合性能,广泛应用于印制板生产领域。文章研究了在LTCC基板表面银导体上的ENEPIG工艺,通过工艺试验,确定了化学镀工艺参数,并对化学镀工艺进行了改进,通过调整工艺,增加钯层和金层厚度,解决了高温焊接后金层发白,键合可靠性差的难题,测试了LTCC基板镀层厚度、可焊性、金丝键合拉力,均满足产品应用需求。

瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究

AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板。对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求。

LTCC腔体及微流道制作技术

简要介绍了LTCC腔体和微流道的用途、结构形式以及腔体的制作方法。详细分析了LTCC空腔在层压和共烧时产生变形的原因。重点阐述了腔体填充材料控制工艺形变的方法,碳基牺牲材料的特性、作用以及控制腔体变形的理论基础。通过工艺试验验证了碳基牺牲材料的有效性。说明采用合理的填充材料、恰当的工艺技术可以制作出满足要求的空腔结构。

化学镀镍钯金LTCC基板工艺研究

为降低LTCC基板加工材料成本,在全银基板上化学镀镍钯金(ENEPIG)方案具有明显的成本优势和工艺优点。本文从银导体烧结形貌出发,对比了不同阻焊材料的抗酸碱腐蚀性,分析了内层银导体厚度对基板平面度的影响。针对化学镀存在的金层渗镀和漏镀、陶瓷腐蚀、镀层剥离、金层发白和色斑等问题,从机理上分析了问题产生的原因,提出了有针对性的解决办法。

不同材料基板引线键合参数研究

本文介绍了键合机的基本原理,通过不同设备参数在不同材料的基板及器件上键合的失效模式,探讨了设备参数在不同材料上键合工艺的影响,论证了不同设备参数是增强不同材料引线键合可靠性的有效手段。