重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .

沉淀硫酸钡粉体流动性及影响因素分析

以芒硝-硫化钡法工业化生产的沉淀硫酸钡为对象,在对普钡、超细钡和精细钡粉体的流动性指数进行测试的基础上,分析了影响沉淀硫酸钡粉体流动性能的主要因素,并着重分析了沉淀硫酸钡粉体受压缩时颗粒间范德华力的变化对流动性的影响,得出了内聚力以压缩率的平方递增的关系。

沉淀硫酸钡颗粒几何特性及表面ζ电位分析

以芒硝-硫化钡法生产的沉淀硫酸钡为对象,对普钡、超细钡和精细钡粉体的粒度、形貌与结构及表面ζ电位和随pH的变化规律进行了分析表征,对改善沉淀硫酸钡流动性和吸油量,以及对沉淀硫酸钡表面物理化学性质的调控和进行表面处理等应用研究有参考价值。

过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响

小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。分别采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法,成功实现生长无小角晶界重掺B<111>Si单晶。通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现,低埚位生长无小角晶界的重掺B直拉<111>Si单晶工艺更具备生产优势。

直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制

晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱。这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对硅单晶的品质有十分不利的影响。分析了直拉硅单晶生长时晃动的影响因素。利用MATLAB软件及现有振动激励下的单摆动力学模型对CG6000型单晶炉进行单晶晃动的理论计算,理论上分析了各参数变化对单晶晃动的影响。在此基础上提出了改变晶体转速的工艺来控制单晶晃动及晶体形变的方法,并总结了若干减少晶体晃动的措施。