基于“1+X”制度的中职院校动画专业课程教学改革探讨

“1+X”制度是一项多维度、多层次的证书制度,旨在通过学历证书和职业技能证书的结合,提升学生的综合素质和职业技能水平,促进他们的全面发展。基于此,中职院校应以培养特色应用型人才为目标,深化产教融合,实现课程内容与职业标准的紧密对接,探索课证融通的教学改革路径。文章概述“1+X”动画制作证书制度,分析中职院校动画专业课程设置及人才培养现状,探讨基于“1+X”制度的中职院校动画专业课程教学改革的策略,旨在提高动画专业的教学质量,更好地满足行业需求。

南京市老城南地块社会阶层分化下的居住空间分异现象

通过对南京市老城南地块居住空间分异现象的分析,解读该地块居住空间分异的特征,探求阶层分化和居住空间分异的相互影响,并为旧城改造、城镇更新运动中城市空间的发展提出合理的建议。

数字媒体技术对现代设计艺术的影响

科学技术的发展与进步对现代设计艺术产生了重要影响,其中,数字媒体技术的应用推动了现代设计艺术的变革与发展,使现代设计艺术呈现出新的特点,创新现代设计艺术特征、设计理念、设计内容与形式,推动现代设计艺术传播与发展。对此,本文从数字媒体技术的概念出发,针对数字媒体技术含义进行简要概述,而后分析数字媒体技术特点,针对数字媒体技术对现代设计艺术的影响展开逐步论述,最后针对如何推进数字媒体技术在现代设计艺术中的应用进行简单展望。

水热法制备高长径比银纳米线及其影响因素研究

采用水热法以AgCl为胶体、利用PVP作为还原剂及表面活性剂,成功合成了产量高、形貌尺寸均匀、高长径比的Ag纳米线。运用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光谱(DRS)对样品进行了表征,结果表明,产物为具有面心立方结构的单质银,结晶度高,银线平均长度60~110μm、平均直径为20~60 nm,长径比大于1 000。同时探讨了NaCl物质的量、PVP物质的量、反应温度、反应时间对样品形貌尺寸的影响,得到了制备高长径比银纳米线的最佳反应条件,并阐述了高长径比银纳米线的生长机制。

连山水，融禅意，兴体验，成画境——以南京牛首山叠翠台景观设计为例

因世界佛教至高圣物——释迦牟尼佛顶骨舍利于牛首山长期供奉,牛首山开启了旅游建设的新高潮,一系列依托自然山水环境,体现佛禅文化内涵的项目应运而生。本文以叠翠台节点为例,挖掘场地独有的自然景观特征,借鉴中国传统山水美学理论,探索在旅游区内融合自然、文化、功能的多目标景观设计途径,从连山水、融禅意、兴体验、成画境四个方面进行论述,营建既融合于自然场地又具有佛禅意味的文化新景观。

中职美术教育中色彩教学的优化策略

本文基于中职美术教育中色彩教学的现状,论述中职美术教育中色彩教学的优化,分别从加强色彩教学意识、科学设置色彩教学课程、实施多样化教学、发挥学生主体地位等方面进行具体分析,以强化学生对色彩知识的理解与应用,促进学生绘画能力的提升。

SiO2/B2O3质量比对低介电封接玻璃性能的影响

采用高温熔融法以SiO2-B2O3-Al2O3-R2O为体系制备了一系列低介电常数(3.92≤εr≤4.11)、低介电损耗(5×10^-4≤tanδ≤12×10^-4)的封接玻璃。运用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、膨胀系数测定仪、弯曲梁高温粘度计、精密阻抗分析仪对样品进行了表征,同时,探讨了SiO2与B2O3的质量比对各样品性能的影响。结果表明,样品的热膨胀系数、介电损耗随着SiO2与B2O3质量比的增大呈现先降低后升高的趋势;而特征温度则相反,其随着SiO2与B2O3质量比的增大呈现先升高后降低的趋势;样品的介电常数随SiO2与B2O3质量比的增大而增大。

高长径比银纳米线的制备及其透明导电薄膜的性能

采用简单高效的一步多元醇法以FeCl_3·6H_2O为成核控制剂,在低温、静置的条件下成功合成了产量高、形貌尺寸均匀、银线平均长度80~110μm、平均直径为40~80 nm,长径比大于1000的高长径比Ag纳米线。将制得银纳米线通过无水乙醇分散,得到一系列质量体积浓度的银线分散液,利用旋涂装置在PET上制备成膜,得到薄膜方阻仅6Ω/sq、可见光透过率80%左右性能良好的银纳米线透明导电薄膜,并探讨了旋涂层数、旋涂速度对各质量体积浓度薄膜性能的影响。

新型Se微米管/Spiro-MeOTAD异质结型光电探测器

有机半导体材料具有对环境友好的特点和优良的光电特性,广泛应用于光电探测器。通过旋涂法结合p型有机半导体材料Spiro-MeOTAD和Se微米管(Se-MT)制备一种新型Se/Spiro-MeOTAD异质结结构。Se/Spiro-MeOTAD光电探测器在350~800 nm波长范围内具有较佳的光响应度和开关比,不需要外加偏置电压,具有自驱动的良好光电特性。相比于单根Se-MT器件(0.1 V),该探测器在0 V偏压410 nm光照下的响应度提高了10倍,达到36.5 mA·W^(-1),开关比为156(增强800%),上升和下降时间分别缩短至22 ms和35 ms。这一研究结果表明有机半导体材料可以有效改善无机半导体的光电特性,利用无机/有机异质结可制备高性能的光电器件。