功率晶体管直流安全工作区的描绘方法

本文给出了通过测试器件热阻来描绘其安全工作区的方法,采用该方法确定的安全工作区的二次击穿限比用二次击穿测试仪测得的要低,但能避免器件的损伤和永久性损坏,确定出的安全工作区是安全的.

多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响

本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响,通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜,经硼离子注入掺杂,杂质浓度均为10^(25)/m^3用X 射线衍射法分析了薄膜晶体结构,悬梁实验测出薄膜应变系数GF 随淀积温度和膜厚的变化。理论分析表明,GF 不仅随晶粒度单调增加,而且与织构情况密切相关,不同织构压阻效应大小不同,〈100〉结构对薄膜压阻效应影响很大。理论结果较好地解释了薄膜GF 与淀积温度和膜厚的实验曲线.

硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性

本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果相符合．通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论，提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的最佳途径．

碲化镉新型β-射线探测器的研制

本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5X10^(-12)A/mm^2,在60℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5×10^(-11)A/mm^(2),因而探测器可在60℃下正常工作.在标准^(85)Krβ—射线源上获得了1.65×10^(-9)A的输出电流。

两步扩散发射区功率晶体管芯片上温度分布及抗二次击穿能力的研究

试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上.

Bi_2Te_3－Bi_2Se_3－Sb_2Te_3赝三元热电材料红外热堆探测器

本文所提出的红外辐射探测器是由具有同一个辐射接收面、６对热电偶串联而成．所选用的热电材料为具有高优值系数的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｂｉ２Ｓｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３三八式赝元热电合金材料．通过器件尺寸的优化，取得了较高的灵敏度．文中系统阐述了探测器的制作工艺和器件性能。

职业规划:警惕“七年之痒”

我们在畅想自己的职业生涯时,总是不知不觉地以年龄为界限,而30岁通常是最敏感的年龄,古人云:三十而立.站到了30岁年龄的门口,应该是有所成了.