铜的表面含硅渗层的结构与性能

本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善铜的表面摩擦磨损。

铜的气体表面渗硅新工艺研究

本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺，也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况。

铝表面化学气相沉积SiO_x膜层的显微结构和性能

采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层。使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV VIS等技术分析了膜层的形貌、成分和组织结构特征,测试了膜层的孔隙率、光学和显微力学性能。结果表明:硅氧化物SiOx陶瓷膜层在铝基表面以气相反应沉积硅氧化物颗粒—颗粒嵌镶堆垛—融合长大的方式生成,大部分膜层为非晶态区域,其中包含少量局部有序区域,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,膜层疏松多孔,具有很高的紫外可见光吸收率,膜层与基底具有很好的结合性。

铝表面SiO_X薄膜结合性能与机理研究

应用化学气相沉积(CVD)方法在铝表面形成SiOX陶瓷涂层,通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了弯曲部位的表面形貌,弯曲过程表述为表面凹坑与内部孔洞联合长大,形成长条裂纹状沟槽或突脊,最后裂纹长大直至断裂。研究表明,基底与膜层结合良好,形成高结合力的原因是铝基底与表面SiO膜层间过渡层中的AlO与SiO键合能很高,键合稳定。

铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究

采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁.

铝基SiOx膜层滑动磨损及其机理研究

本文采用低温常压CVD方法制备铝基SiOx陶瓷膜层。以黄铜为对磨材料 ,使用销 -盘式磨损试验机对比研究纯铝表面与SiOx膜层的滑动磨损性能 ,通过SEM分析磨损的表面形貌并分析其磨损机理。结果表明纯铝表面发生粘着磨损 ,存在大量塑性变形和折叠 ,导致片状脱落 ,磨损率高 ;SiOx薄膜硬度较高 ,存在孔隙 ,表面发生塑性变形、崩塌和磨粒磨损 ;因薄膜孔隙具有储存润滑剂 (水 )的作用 ,磨损率明显低于对比纯铝样品 ;随沉积时间增加 ,SiOx膜层变厚 ,承载能力提高 ,磨损量减小。

铜表面气体渗硅涂层的抗氧化性能研究

对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在Ｃｕ表面进行化学热处理获得的含硅涂层进行了抗氧化性研究．结果表明，纯铜表面含硅涂层的形成提高了材料的抗氧化性能．对含硅铜涂层的氧化机理进行了探讨．

铜表面气体渗硅后的滑动摩擦磨损研究

本文对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面进行化学热处理获得的含硅表层进行了摩擦磨损研究．结果表明，在铜表面生成的含硅层可以降低摩擦系数；在低负荷干摩擦条件下。

铜的表面改性热处理新方法初探

本文介绍了含硅气氛下纯铜低温ＣＡＤ表面改性的高频感应加热设备，ＣＶＤ装置以及相应的测温装置和手段．进行了纯铜ＣＶＤ表面改性的初步研究．结果表明，在６００℃左右的温度下．利用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气在纯铜试样表面的热分解，能够获得铜－硅化合物表层，其硬度较基体有很大的提高．当形成铜硅固溶体时，硬度无明显变化．

铜在含硅气氛中表面改性的化学热处理研究

对铜在含硅气氛中低温沉积、随后进行扩散处理的表面化学热处理进行了研究。使用光学显微镜、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪、电子探针（ＥＰＭＡ）等对渗层进行了显微硬度、成分和结构分析，探讨了工艺参数对渗层的影响。研究结果表明，通过这种表面化学热处理可以在铜表面形成Ｃｕ５Ｓｉ和Ｃｕ１５Ｓｉ４，其硬度较基体有很大提高。