电子束蒸发a-Si_(1-x)Nd_x薄膜的ESR研究

研究了电子束蒸发a-Si_(1-x)Nd_x的薄膜的ESR参数g因子、线型因子l,峰—峰线宽△Bpp、自旋密度Ns随组分x变化的特性.基于这类薄膜的光吸收和电导特性,应用带Nd背键的悬挂键模型分析讨论了这些变化特性的物理原因.

电子束蒸发a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％<x_(Gd)<1at％区间内,薄膜光吸收的变化特别灵敏,其光学带隙随组分x的增加而变窄,由1.52 eV降到1.36 eV。掺入适量的Gd能补偿a—Si膜中的悬挂键,提高膜的热稳定性和力学性能。

电子束蒸发α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性

本文研究了电子束蒸发的α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性.其结果表明,薄膜的组分变化对近红外长波的吸收特性影响较大;光学带隙随组分 x_(Er) 的增大而变窄,由1.52eV 减小到约1.22eV;掺入适量的 Er 能部分地补偿 a-Si 薄膜中的硅悬挂键.本文还利用 Cody 的无序理论,结合 T.Oestereich 等人对 a-Si∶H∶Er 薄膜的光致发光研究,对实验结果进行了分析讨论.

电子束蒸发a-Si_(1-x)Cr_x薄膜的光吸收

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si_(1-x)Cr_x 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响较大,0.10at.%<x<2.0at.%的组分变化区,是薄膜光吸收特性变化的灵敏区.在研究的组分范围内,薄膜的光学带隙随Cr 组分的增大而变窄,由1.50 eV(x=0)减小到0.84 eV(x=10.0 at.%).薄膜对不同波长的入射波,其吸收系数α有较大的变化,Cr 组分变化也影响到α的变化.我们利用 Cody 等人的无序理论,结合这类薄膜的 ESR 实验结果,对光吸收的实验结果进行了分析讨论.

电子束蒸发的α-Si_(1-x)Co_x薄膜的光吸收特性

研究了电子束蒸发的掺过渡金属Co的非晶硅基薄膜α-Si_(1-x)Co_x的光吸收特性,结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响灵敏.0.10at%<x<2.00at%的组分变化区,是薄膜先吸收特性变化的灵敏区.在研究的组分范围内,薄膜的光学带隙随组分的增大而变窄,由1.50eV减小到1.28eV.实验结果用Cody等人建立的有关α-Si的无序理论进行了分析讨论.

Gap－LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响

报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。

电子束蒸发a-Si_(1-x)Cr_x薄膜的ESR研究

本文报导对电子束蒸发的 a-Si_(1-x)Cr_x 薄膜的 ESR 研完结果.实验结果表明,随掺 Cr 组分 X 的变化,薄膜的各个 ESR 特性参数都发生变化:(2.0034±0.0001)≤g≤(2.0052±0.0001).线型因子1为(2.14±0.01)≤1≤(3.57±0.01),峰峰宽△Bpp 为(6.20±0.05)G≤△Bpp≤(8.70±0.05)G.基于这些实验结果,我们采用 S.E.Barnes 的 ESR 动力理论对结果进行了分析讨论,揭示出 Cr 原子对 a-Si 薄膜悬挂键的补偿,Cr 原子的3d 局域自旋磁矩与传导电子的交换互作用是使 ESR 参数变化的原因.

电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。

电子束蒸发a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的电导特性

稀土元素适量地掺入化合物半导体材料和非晶玻璃固体材料,均能有效地改善基质材料的光学、力学和其它物理特性。研究表明,三价的稀土离子容易进入非晶玻璃网格形成键合,它的不满4f电子受5s、5p电子层的屏蔽。因此,稀土离子受玻璃非晶体基质的配位场的影响较小,它在非晶体中的行为与在晶体基质中基本相似。非晶硅半导体材料,由于制备较简便,易实现大面积而受到重视。本文对a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的电导特性进行了研究,并结合薄膜的ESR特性,对实验结果进行了初步讨论。

非晶硅钆合金薄膜的ESR研究

用ESR研究了电子束蒸发的非晶硅钆半导体合金薄膜a-Si_1-_xGd_x。其钆组分x的范围为0～10at％。薄膜的ESR信号的g因子在(2.0043±0.0001)到(2.0054±0.0001)内变化,谱线的线型因子l在(2.77±0.01)到(3.10±0.01)内变化,谱线的线宽ΔBpp在6.40×10^(-4)T到7.00×10^(-4)T内变化。用Barnes S.E.的ESR动力学理论,对薄膜的ESR信号参数随组分x的变化关系进行了分析。结果表明,Gd^(3+)离子对a-Si薄膜中悬挂键的部分补偿作用以及基质材料中的传导电子与局域自旋系统的交换互作用是薄膜的ESR谱线参数变化的原因。

掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究

用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜，在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量，对复合膜的结构进行了探讨．

Si基有机异质结势垒特性的研究

在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料 艹北 四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及电流 -电压特性。

热处理对埋入SiO_2 介质中的微晶Ge特性的影响(英文)

采用射频共溅射方法将微晶锗纳米颗粒埋入SiO2 介质中 ,然后在不同温度的氮气氛中进行热处理。用拉曼光谱、变温电导特性测试等实验分析手段进行特性研究。结果表明 ,埋入SiO2 介质中的微晶锗的平均尺寸随热处理的条件变化而变化 ,复合薄膜的光致发光的强度和电导率与微晶锗的平均尺寸有关。当微晶锗的平均尺寸约 3nm时 ,复合薄膜的电导率最大 ,光致发光的强度在 2 .175ev和 2 .2

锗 -二氧化硅复合薄膜的光电特性(英文)

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明 ,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒 ,Ge纳米颗粒的平均尺度约 5 .0nm时 ,薄膜的光学带宽约 1.42ev ,电导激活能的最小值约 0 .43ev。

p-Si基PTCDA生长模式的AFM和XPS研究

对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品的表面进行得AFM扫描看出,PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷。原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其它缺陷引起的。将样品表面的XPS全谱及精细谱与表面的AFM扫描图进行对比分析,得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式,即:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTC-DA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构。与硅衬底原子结合的过程为:苝环与缺陷处的Si原子结合,而酸酐基团与表面完整处的Si结合。结合时,苝环结构保持不变,而酸酐基团与Si发生化学反应,使酸酐中的C O键断开,形成O Si C和硅氧化物。对PTCDA/p-Si样品的界面的XPS全扫描谱和精细图谱进行分析后,进一步验证了PTCDA在p-Si基底上的生长模式。

电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理

研究了用电化学方法在 Sn O2 基底上沉积的 Ni Ox Hy 膜电致变色特性 ,该膜是一种富氧结构 ,具有优良的变色特性 ,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达 1以上 .Ni Ox Hy 膜在 KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定 .H+注入并占据 Ni空位 ,会使一部分 Ni3+转化为 Ni2 + ,Ni3+的减少将导致光透性增强 ,这是因为Ni的 d电子能级在 Ni O6 八面体晶场中被分裂为 t2 g和 eg 能级 .H+的注入使 Ni3+的 t2 g能级被电子填满 ,变为 Ni2 + ,导致光学透明 .反之 ,H+ 的萃取使 t2 g能级出现空穴 ,即形成 Ni3+ 。

埋入SiO_2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质

研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。

埋入SiO_2膜中的微晶Ge的室温可见光致发光

埋入ＳｉＯ２膜中的微晶Ｇｅ的室温可见光致发光①王印月杨映虎郭永平②陈光华（兰州大学物理系，兰州７３００００）甘润今（北京机械工业学院基础部，北京１０００８５）可见发光器件在大屏幕显示和光电子学中是十分重要的，这些发光器件主要是用工艺复杂、价格较贵的...

X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．

Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料

Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ匹配的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ...