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外延硅片“雾”缺陷的成因及清除方法
1
作者
田光炎
《半导体杂志》
1991年第1期39-44,共6页
关键词
硅
外延技术
雾片
缺陷
消除
下载PDF
职称材料
P／P^＋硅外延
2
作者
田光炎
《红讯半导体》
1990年第1期10-16,共7页
关键词
P/P^+硅外延
硅
外延
半导体
下载PDF
职称材料
关于红外谱仪C—V仪等的测试设备应用原理
3
作者
田光炎
《红讯半导体》
1991年第1期1-13,共13页
关键词
红外光谱仪
测试设备
应用
下载PDF
职称材料
P／P^＋硅外延生长特点的分析
4
作者
田光炎
《半导体杂志》
1989年第4期48-52,47,共6页
关键词
硅
外延生长
下载PDF
职称材料
题名
外延硅片“雾”缺陷的成因及清除方法
1
作者
田光炎
出处
《半导体杂志》
1991年第1期39-44,共6页
关键词
硅
外延技术
雾片
缺陷
消除
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
P／P^＋硅外延
2
作者
田光炎
出处
《红讯半导体》
1990年第1期10-16,共7页
关键词
P/P^+硅外延
硅
外延
半导体
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
关于红外谱仪C—V仪等的测试设备应用原理
3
作者
田光炎
出处
《红讯半导体》
1991年第1期1-13,共13页
关键词
红外光谱仪
测试设备
应用
分类号
TH744.123 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
P／P^＋硅外延生长特点的分析
4
作者
田光炎
出处
《半导体杂志》
1989年第4期48-52,47,共6页
关键词
硅
外延生长
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
外延硅片“雾”缺陷的成因及清除方法
田光炎
《半导体杂志》
1991
0
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职称材料
2
P／P^＋硅外延
田光炎
《红讯半导体》
1990
0
下载PDF
职称材料
3
关于红外谱仪C—V仪等的测试设备应用原理
田光炎
《红讯半导体》
1991
0
下载PDF
职称材料
4
P／P^＋硅外延生长特点的分析
田光炎
《半导体杂志》
1989
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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