超微细图形加工技术进展

自1959年集成电路发明以来，它已经对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响。集成电路正以线宽每年缩小30％、集成规模增长1倍、芯片价格随之下降的惊人速度发展。光刻技术的发展始终是集成电路发展的决定因素。本文综述了深亚微米光刻和纳米光刻技术。在光学光刻部分，简要描述了光刻的历史演变，较详细综述了光学光刻的最新进展，如相移掩模、离轴照明及深紫外曝光。最后介绍了电子束曝光及X射线曝光的发展状况及SIM纳米加工的发展状况。

碘代正戊烷的248nm激光光解机理

实验获得了２４８ｎｍ激光光解ｎ－Ｃ_５Ｈ_（１１）Ｉ所产生的Ｉ和Ｉ碎片的飞行时间谱，从解离数据获得了解离碎片的平动能及内能分配情况，与过去碘代烷实验结果比较证明，随着烷基的增大，光解碎片的总平动能变小，烷基的内能增大。当烷基的分子量增大时，位能面交叉处的跃迁几率变大。

STM针尖刻蚀的多电子束现象

ＳＴＭ针尖刻蚀的多电子束现象田如江，韩阶平（中国科学院微电子中心）自从ＳＴＭ问世以来，已有大量报导是利用ＳＴＭ针尖所产生的低能量、空间发散相当小的电子束进行纳米加工。ＳＴＭ纳米加工具有加工尺寸小、设备简单等优点。但是对于ＳＴＭ纳米加工机理的认识还没有...