单靶磁控溅射Cu(In,Ga)Se_(2)太阳电池的背接触界面设计

通过磁控溅射单一四元靶材磁控得到的黄铜矿Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)太阳电池开发的主要瓶颈是严重的载流子复合,其开路电压非常低.CIGS与钼(Mo)之间不良的缺陷环境是吸收体和界面复合严重的主要原因之一.其中,在背界面处引入的CuGaSe_(2)(CGS)低温缓冲层可以有效地抑制吸收体与背电极在高温磁控过程中的不利界面反应,从而获得高质量的晶体.通过这种背界面工程,不仅可以很好地解决吸收体和界面质量不佳的问题,而且有利于在吸收层中形成梯度带隙结构,从而使深能级InGa缺陷转换为较低能级的VCu缺陷,最终CIGS太阳电池的转换效率达到15.04%.这项工作为直接溅射高效率CIGS太阳电池的产业化提供了一种新的方法.

岁月偷不走的爱

夜深人静时,点灯熬油,奋笔疾书,唯有虫鸣星宿相伴。此时正饥肠辘辘,脑子里一团乱麻,笔尖触纸写不出一个字。父母房里已熄了灯,我却深知还有一人未归,仿佛应了我的呼唤,门口清脆铃声响起,促使我眼睛一亮。"是爸爸回来了!"早已耐不住饥饿,身手利落地跳下地.