红外焦平面组件的近期发展

２８８×４元，２５６×２５６元，６４０×４８０元规格的短、中、长波红外焦平面芯片已批量生产，包括杜瓦瓶致冷机的焦平面组年也在市场上销售。１２０４×１０２４规格的焦平面已在使用中，作者认为：今后相当长的时间内，大于３×１６＾５像元规格红外焦平面的发展会受到制约，将集中于提高红外焦平面的工作温度，尤其是室温附近工作的焦平面组件，其次是使红外焦平面的生产全部硅工艺化。

InSb混合红外焦平面工艺研究

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。

室温工作的低成本氧化钒红外焦平面器件

文章给出了氧化钒焦平面器件的基本工作原理、设计思想、关键工艺、应用前景、现在已经达到和将来可能达到的性能指标,指出本器件是军民两用的低成本器件。

混合红外焦平面倒装焊工艺模拟实验

运用蒸Al、镀In、光刻技术,在InSb、HgCdTe和Si片上制成雨维In柱电极,完成两维列阵模拟互连工艺。

混合式红外焦平面用对焊机的研制

对焊工艺是制备混合红外焦平面器件的关键工艺。本文介绍了我们根据对焊工艺要求自行研制的 HDD-1型红外对焊机的原理、性能及测试方法,并给出了该机在红外焦平面列阵对焊工艺中的试用结果。

1×12元InSb混合红外CCD器件性能参数讨论

本文主要介绍一种采用时间延迟积分模式的硅CCD和1×12元InSb红外探测器互连而成的器件,并就如何提高其探测率进行了讨论。

热释电探测器及前置放大器

文中简述了热释电探测器的简单工作原理和应用;讨论了这种探测器在警戒、非接触测温、光谱测量、激光检测及毫微秒激光脉冲探测等应用中如何选择探测器结构及其与之相匹配的前置放大器性能。