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Low insertion loss silicon-based spatial light modulator with high reflective materials outside Fabry–Perot cavity
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作者 Li-Fei Tian Ying-Xin Kuang +1 位作者 Zhong-Chao Fan Zhi-Yong Li 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第10期376-380,共5页
The extinction ratio and insertion loss of spatial light modulator are subject to the material problem, thus limiting its applications. One reflection-type silicon-based spatial light modulator with high reflective ma... The extinction ratio and insertion loss of spatial light modulator are subject to the material problem, thus limiting its applications. One reflection-type silicon-based spatial light modulator with high reflective materials outside the Fabry-Perot cavity is demonstrated in this paper. The reflectivity values of the outside-cavity materials with different film layer numbers are simulated. The reflectivity values of 6-pair Ta2O5/SiO2 films at 1550 nm are experimentally verified to be as high as 99.9%. The surfaces of 6-pair Ta2O5/SiO2 films are smooth: their root-mean-square roughness values are as small as 0.53 nm. The insertion loss of the device at 1550 nm is only 1.2 dB. The high extinction ratio of the device at 1550 nm and 11 V is achieved to be 29.7 dB. The spatial light modulator has a high extinction ratio and low insertion loss for applications. 展开更多
关键词 spatial light modulator HIGH REFLECTIVE materials SILICON-BASED FABRY-PEROT cavity
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一维氧化锌纳米结构生长及器件制备研究进展 被引量:11
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作者 秦杰明 田立飞 +4 位作者 赵东旭 蒋大勇 曹建明 丁梦 郭振 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期837-849,共13页
介绍了一维氧化锌(ZnO)纳米结构的形态(纳米线和纳米带等)及其特点,阐述了该结构生长及器件制备的方法,例如水热法和化学气相沉积法等.概述了该结构在发光二极管和纳米发电机等方面的应用进展.最后,对一维ZnO纳米结构的未来发展趋势进... 介绍了一维氧化锌(ZnO)纳米结构的形态(纳米线和纳米带等)及其特点,阐述了该结构生长及器件制备的方法,例如水热法和化学气相沉积法等.概述了该结构在发光二极管和纳米发电机等方面的应用进展.最后,对一维ZnO纳米结构的未来发展趋势进行了展望,并在新方法和新工艺等方面提出了一些建议. 展开更多
关键词 ZNO 一维纳米结构 制备方法 光电子器件
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纯铁触媒合成磨料级金刚石及表征 被引量:5
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作者 秦杰明 张莹 +1 位作者 曹建明 田立飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期752-756,共5页
本文报道了高温高压下纯铁触媒与石墨体系合成磨料级金刚石的过程,并给出了P-T相图.在此基础上,通过调整工艺参数,控制再结晶石墨量与金刚石生长速度,合成出无色透明的金刚石样品,解决了纯铁触媒合成的金刚石透明度较差及包裹体较多的问... 本文报道了高温高压下纯铁触媒与石墨体系合成磨料级金刚石的过程,并给出了P-T相图.在此基础上,通过调整工艺参数,控制再结晶石墨量与金刚石生长速度,合成出无色透明的金刚石样品,解决了纯铁触媒合成的金刚石透明度较差及包裹体较多的问题.采用穆斯堡尔谱仪和傅里叶红外光谱仪等测试手段,对金刚石样品内部包裹体以及氮元素含量进行了表征,在揭示包裹体形成机理的基础上提出了减少包裹体的方法,同时阐明了纯铁触媒合成的金刚石样品颜色变浅的原因. 展开更多
关键词 铁触媒 金刚石 生长速度 高温高压
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高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征 被引量:2
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作者 秦杰明 张莹 +3 位作者 曹建明 田立飞 董中伟 李岳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期431-435,共5页
本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57Ω·cm,禁带宽度为3.31eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,... 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57Ω·cm,禁带宽度为3.31eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义. 展开更多
关键词 高压 陶瓷 n-ZnO 透明
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高压下Li掺杂p型ZnO固溶体的表征
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作者 秦杰明 田立飞 +3 位作者 蒋大勇 高尚 赵建勋 梁建成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期78-82,共5页
报道了利用ZnO和Li_2O混合物在5GPa,1200℃—1500℃条件下,制备Li掺杂P型ZnO(记作ZnO:Li)固溶体的过程.研究发现,高压下温度对于ZnO:Li固溶体的导电类型以及结构具有较大的影响.其中在1500℃条件下烧结的ZnO:Li(Li的掺杂量4.5%)表现出... 报道了利用ZnO和Li_2O混合物在5GPa,1200℃—1500℃条件下,制备Li掺杂P型ZnO(记作ZnO:Li)固溶体的过程.研究发现,高压下温度对于ZnO:Li固溶体的导电类型以及结构具有较大的影响.其中在1500℃条件下烧结的ZnO:Li(Li的掺杂量4.5%)表现出良好的p型电学性能,其电阻率为3.1×10^(-1)Ω·cm,载流子浓度为3.3×10^(19)cm^(-3),迁移率为27.7cm^2·V^(-1)·s^(-1).通过实验及理论计算确定了其受主能级为110meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电学性能的影响. 展开更多
关键词 高压 p-ZnO:Li 固溶体
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