Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的椭偏光谱研究

用椭偏光谱仪首次在光子能量为２．１～５．２ｅＶ的范围内，测量了不同热处理温度下Ｂａ０．９Ｓｒ０．１ＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜的椭偏光谱，建立适当的拟合模型，并用Ｃａｕｃｈｙ色散模型描述ＢＳＴ薄膜的光学性质，用最优化法获得了所有样品的光学常数（折射率η和消光系数κ）谱及禁带能Ｅｇ．比较这些结果，初步得到了ＢＳＴ薄膜的折射率η、消光系数κ和禁带能Ｅｇ随退火温度变化的变化规律．

(Ba,Sr)TiO_3/Mg_xZn_(1-x)O核-壳复合陶瓷的制备及表征

纳米粒子由于具有大量的潜在应用,近年来已引起人们极大的关注.通过纳米复合技术(如制备核壳结构的纳米粒子)可以使其获得更多的特殊性质.以氢氧化钡、氢氧化锶、钛酸丁酯为主要原料,采用化学溶液法,在80℃左右的温度下制备了钛酸锶钡纳米晶.硝酸镁和硝酸锌的混合溶液同钛酸锶钡混合并超声搅拌,在室温下制备了具有核壳结构的(Ba,Sr)Ti O3/MgxZn1-xO(BST/MZO)纳米晶.x射线衍射(xRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)确定所制备样品为纯钙钛矿结构,透射电镜(TEM)表明产品的形貌是核壳结构小球,电子衍射图案进一步证实核和壳均是由十几个到几十个纳米的(Ba,Sr)Ti O3/MgxZn1-xO纳米晶组成的聚集体.采用常规的陶瓷制备技术获得具有核壳结构复合陶瓷,其介电性能明显改善.研究结果表明具有核壳结构的(Ba,Sr)Ti O3/MgxZn1-xO适合作为微波介电材料.

准分子激光制备BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的电容特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在６３０℃（ＢＩＴ）和５３０℃（ＰＬＺＴ）条件下，分别在ｐ型Ｓｉ（１００）和ｎ型Ｓｉ（１００）单晶基片上成功地淀积了ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ多层结构铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪分析电容特性，结果表明在ｐ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是顺时针方向，而在ｎ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是逆时针方向，分析了它们的ＣＶ特性曲线的记忆窗口，表明多层铁电薄膜是铁电场效应管理想的栅极材料．讨论了记忆窗口与频率的关系，表明记忆窗口大小随频率改变．ＣＶ非回线表明低频下色散大些．

Sol-Gel工艺合成Bi_4Ti_3O_(12)超微粉

采用一种新的溶胶凝胶（Ｓｏｌｇｅｌ）技术成功地合成了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超细粉末．用差热热失重分析（ＤＴＡＴＧＡ）和Ｘ射线衍射研究了ＢｉＴｉ干凝胶的晶化过程及晶相转变温度．发现在４００～８００℃的热处理过程中粉体经历了游离态的氧化物（ＴｉＯ２，βＢｉ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ２３３）———氧化物＋焦绿石相———纯钙钛矿相Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２的转变过程．４５０℃开始合成Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７相，５５０℃开始合成Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２相，８００℃全部转变为纯钙钛矿相Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２．粉体平均直径约３５５ｎｍ，平均比表面积约６７６ｍ２·ｇ－１．

Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜溶胶凝胶法制备过程中Bi-Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程，研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律；用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态，并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．

钛酸铋热力学分析

利用Ｌａｎｄａｕ－Ｇｉｎｚｂｕｒｇ－Ｄｅｖｏｎｓｈｉｒｅ的自由能函数和点群４／ｍｍｍ的对称性质给出了钛酸铋的弹性吉布斯自由能的表达式，并确定了能量函数表达式的系数，计算出零应力条件下Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２晶体的自发应变、自发极化、介电常数与温度的关系．

用脉冲准分子激光在P-Si(100)衬底上沉积高取向KTN薄膜

利用Sol Gel法制备了优质KTN陶瓷靶材 ,用PLD技术成功地在P Si(10 0 )衬底上沉积出了较纯净钙钛矿相 (>98% )的KTN薄膜 ,并对所制备的薄膜进行了XRD 。