MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究

GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失配位错的分析已成为了有兴趣的研究课题。本文对用分子束外延(MBE)生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系材料的界面缺陷进行了横断面透射电子显微镜和高分辩电子显微镜的研究,目的在于了解界面的缺陷行为并探讨改进材料质量的途径。

古代黑镜表层SnO_2结构成分研究

中国古代黑镜表面层主要由纳米晶体SnO_2组成,其厚约100μm,如此厚纳米晶体膜的形成机理以及它优异的耐腐蚀性能,与纳米晶体SnO_2结构成分密切相关。利用Raman光谱等测试手段对这一纳米晶体进行分析研究,证明其晶格中有原子掺杂,它的分子式应为Sn_(1-x)(CuFePbSi)_xO_2。研究表明,Raman光谱分析是探索纳米固体晶格内有无原子掺杂的有效方法。