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基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)
被引量:
2
1
作者
苗田乐
李文钧
+4 位作者
王皇
郑伟
申屠旭丹
刘军
孙玲玲
《电子器件》
CAS
2011年第1期17-20,共4页
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并...
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
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关键词
SOI
LDMOS
模型
RESURF
TCAD
下载PDF
职称材料
题名
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)
被引量:
2
1
作者
苗田乐
李文钧
王皇
郑伟
申屠旭丹
刘军
孙玲玲
机构
杭州电子科技大学微电子CAD研究所
出处
《电子器件》
CAS
2011年第1期17-20,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60806011)
文摘
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
关键词
SOI
LDMOS
模型
RESURF
TCAD
Keywords
SOI LDMOS
MODEL
RESURF
TCAD
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)
苗田乐
李文钧
王皇
郑伟
申屠旭丹
刘军
孙玲玲
《电子器件》
CAS
2011
2
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职称材料
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