GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器

采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。

GaAs PHEMT通信开关电路设计

设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路。分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)开关电路。使用ADS软件对电路进行了优化设计,并对电路版图进行了电磁场仿真优化,基于0.5μm GaAs PHEMT工艺,流片制作了SPDT和DPDT开关电路。测试结果表明,在DC^6 GHz带宽内,SPDT开关插损大于-0.75 dB,隔离度小于-27 dB(3 GHz),回波损耗小于-18 dB,芯片尺寸为0.55 mm×0.50 mm。DPDT开关插损大于-1.8 dB,隔离度小于-20 dB(3 GHz),回波损耗小于-12 dB,芯片尺寸为0.65 mm×0.60mm。两种开关均采用正电压控制(+5 V),具有低插损、高隔离度、大功率处理能力(P1 dB大于30 dBm)和芯片尺寸小等优点,可广泛应用于微波通信系统中。

DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用+8 V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用。经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm。芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm。

对深化“四个教育”的辩证思考

一、既要肯定“四个教育”也是经常性思想教育的内容,但又不能简单地套用经常性思想教育的方法 当前,多数部队基层单位能够把“四个教育”与经常性思想教育的内容有机地结合起来,通过让身边的人讲身边的事,达到明身边理的目的,实现了集中教育和随机教育的优势互补,不仅有效地解决了新形势下官兵的一些现实思想问题,而且使“四个教育”

“四个很重要”:我的住院心得

去年7月下旬,我在例行体检中发现肚子里长了点不该长的东西,不得不住院手术治疗。也许是由于我平生第-次住院,还真有几点心得,愿与老同志们一起分享。有个好身体很重要。原计划8月初回老家U J西陪侍89岁的老妈,同时也换下姐姐让她休息俩月,让老伴儿留在沈阳搭把手照看-下孙子。可突如其来的疾病把整个大家庭的生活节奏全都打乱了,大家被迫作出临时调整:老伴儿随我进了医院.