Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究

采用磁控溅射方法在 Si(111)基片上沉积 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系作为扩散阻挡层。通过比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N 的电阻率,同时比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和 Ta,TaN 的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标。

集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展

本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.

基于小波变换的磁控溅射Cu-W薄膜生长表面形貌评价

本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的变化.Cu-W薄膜在溅射时间超过600 s时才达到稳定.

基于小波变换Cu-W薄膜表面形貌表征与硬度值分散性评价

提出了一种基于小波变换描述薄膜表面形貌的方法 .运用离散小波变换法研究磁控溅射Cu W薄膜表面特征随溅射时间的演变 .结果表明 ,Cu W薄膜在溅射时间超过 6 0 0s时才达到稳定 .不同薄膜表面形貌的变化主要是由高频部分引起 .薄膜的粗糙表面会引起纳米压入硬度值的分散 ,这种分散性可用基于小波变换的薄膜表面形貌多尺度分解评价 .