一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT

针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联的LIGBT单元,利用第二埋氧层的隔离增强器件的电流处理能力,并采用RESURF技术改善器件的正向阻断特性。Silvaco TCAD仿真结果表明,与常规TG SOI LIGBT相比,基于这种结构的通态电流提高了1. 2倍,击穿电压提高了1倍。