差分SPV法测定a-Si:H PIN结构I层少子扩散长度

基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。用我们研制的测试系统进行了多项测量,对不同样品测得的扩散长度值在0.10—0.64μm之间。测试系统重复性好。

差分SPV方法

本文对一种新的测量半导体薄膜少子扩散长度的方法进行剖析并提出一种判断薄膜器件两表面处势垒区中电场相对方向的方法。