MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述

随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路.

用C语言开发BIOS程序的实现方法

讨论了传统BIOS程序设计用语言的特色和缺点,提出了用C语言编写BIOS程序的新思路.通过分析BorlandC++微模式下编译产生的可执行代码,并创建了适合BIOS程序设计的启动代码,实现了用C语言编写BIOS程序.最后,给出了具体编程示例.

JEM—100SX真空系统工作方式的改进——AES电路的研制

JEM—100SX的真空系统具有一个较大的缺陷,那就是,V_4是手动阀,且原真空系统电路未建立起对V_4和V_5先后次序的控制。这样便造成了可能多次出现的照相室放气时的误操作。本文对原真空系统工作方式的弊端进行了讨论,并研制出一种真空系统的辅助电路AES(Attachment of Evacuation System)。这个电路能对V_4和V_5的先后顺序进行控制。JEM—100SX安装上AES电路可完全防止放气误操作。

系统还原算法分析

介绍了系统还原算法的设计思想,深入分析了转存缓冲原理,创建了系统还原算法的数据结构,详细描述了系统还原与系统更新的算法工作流程,讨论了未来系统还原的研究方向.

硬盘数据存储格式与系统区域的备份

该文详细描述了计算机硬盘数据存储格式。

硬盘数据存储格式与系统区域的备份

DOS系统下的硬盘数据存储是有一定的格式的,人们已对文件的建立、存储、拷贝、删除等操作很熟悉,但对系统区域中的数据存储格式的作用却不甚了解。虽有一些资料曾有介绍,但人们仍不能从硬盘整体角度出发确定系统数据的存储位置和重要数据标志。如此,病毒及人为因素对系统区域的损坏使得硬盘大量的软件数据无法恢复。掌握了系统区域数据的存储格式,并对重要数据进行备份,即可在必要时加以恢复。 一、硬盘数据存储格式纵观 以600M硬盘DOS6.22为例,硬盘分区为C、D、E三个逻辑盘,每个逻辑盘均具有以下几个数据区:分区表、保留扇区、引导记录、文件分配表l、文件分配表2、根目录区、文件数据及子目录区、无用扇区。其中分区表及引导记录是创建后固定不变的系统区域,而其它区域则随文件的存储而变化。

校园网ARP病毒定位算法的实现研究

该文首先介绍了ARP病毒在校园网中的泛滥现状,分析了ARP病毒造成网络瘫痪的机理。基于SNMP协议获取IP-MAC及MAC-PORT映射表,构建了异常表项自动提取算法,来追溯ARP病毒主机,实现了自动化ARP病毒的定位与处理。最后,展望了本算法对其它病毒或异常攻击行为监测的适用性。

单标程流动注射分析的研究——梯度校正原子吸收法测定砷铁矿中铜、铅、锌

本文根据流动注射梯度校正原理,以“参比”元素确定流路系统的瞬时分散系数,用待测元素的一个标准溶液代替一套标准系列制作工作曲线,建立了一种新的单标准流动注射原子吸收分析法。并用该法测定了砷铁矿标样中的铜、铅、锌。相对标准偏差小于3%,进样频率为240个/小时。

用C程序删除指定的目录树

本文给出一实用程序，用于删除一指定的目录树。