GaAs MMIC射频开关设计与研制

介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的设计方法，在这种方法中，把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络（ＭＥＳＦＥＴ）的Ｓ参数，应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确，更简单，容易实现。文中还给出了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的研制结果。

高速GaAs驱动器

报道了用于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了联试，结果不仅没有影响开关的射频特性。

阶跃二极管高阶倍频器研制

介绍了倍频器的原理、应用以及阶跃二极管倍频器的设计方法并给出了结果。

空间生长半绝缘GaAs单晶的器件研究

试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和ＩＣ， 并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明。

GaAs超高速模拟开关集成电路

本文首次报导了GaAs超高速模拟开关集成电路的设计、制备及主要结果。已制备出开启时间最好水平为0.7ns的实用开关集成电路是目前速度最快的模拟开关集成电路。

微波双栅GaAs MESFET

按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件最好水平为f_0:12GHz,N_F:2.42dB,G_(?):13.89dB。该器件设计合理,工艺经过优化,使器件具有较高的成品率及优品率。

毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC

介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅－源电压跟随和开关管关断时栅－源电压箝位的电路，使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性，满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求。

半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。