面向5G应用需求的低介电高分子材料研究与应用进展

从5G高频信号传输对高分子材料的性能需求、低介电常数(low-Dk)与低介质损耗(low-Df)高分子材料的结构设计以及低介电高分子材料在5G高频通讯中的应用角度,阐述了5G移动通讯技术用低介电高分子材料的最新研究与应用进展,重点综述了低介电聚酰亚胺(PI)与液晶聚合物(LCP)两类材料的发展状况,最后对低介电高分子材料的未来发展趋势进行了展望。

低介电聚苯并噁唑材料研究与应用进展

从结构设计、化学合成以及在高技术领域中的研究与应用进展等角度,综述了具有低介电特性(低介电常数与介质损耗)的聚苯并噁唑(PBO)材料的最新研究与应用进展。重点综述了含氟型PBO与半脂环结构PBO两类材料的发展状况,最后对低介电PBO材料未来的发展趋势进行了展望。

低介电聚(酰亚胺-苯并噁唑)用含氟二胺单体的制备与表征

针对高频通讯技术的发展对于具有低介电常数(low-Dk)以及低介质损耗因数(low-Df)型耐高温聚合物介质材料的应用需求,开展了含氟型聚(酰亚胺-苯并噁唑)(PIBO)用关键芳香族二胺单体,包括2,2-双[3-(4-胺基苯甲酰胺)-4-羟基苯基]六氟丙烷(p6FAHP)与2,2-双[3-(3-胺基苯甲酰胺)-4-羟基苯基]六氟丙烷(m6FAHP)的合成研究。采用硝基取代苯甲酰氯与2,2-双[(3-胺基-4-羟基)苯基]六氟丙烷(6FAP)在极性非质子性溶剂中低温反应,首先合成了分子结构中含有双(邻羟基取代苯甲酰胺)基团的二硝基化合物,然后在Pd/C催化下采用氢气还原得到了二胺基化合物。采用差示扫描量热分析(DSC)手段测试两种二胺单体的熔点,并采用衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)、核磁(NMR)以及元素分析(EA)等手段表征二胺单体的化学结构。结果成功制得了预期结构的芳香族二胺单体。

高脂环含量低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

针对5G通讯技术领域对于低介电常数(low-Dk)与低介质损耗(low-Df)高分子薄膜材料的应用需求,采用脂环族二酐单体与含有茚脂环单元的芳香族二胺单体进行聚合,制备了高脂环含量PI薄膜。对制备的PI薄膜进行结构表征,并测试其热性能、光学性能和介电性能。结果表明:该薄膜具有良好的耐热性能和光学性能,5%热失重温度(T5%)为493℃,玻璃化转变温度(Tg)为297.4℃,紫外截止波长为258 nm,厚度为25μm的薄膜在400 nm波长处的透光率(T400)为87.1%,黄度指数(b*)和浊度分别为0.77和0.8%。介电性能测试结果显示,该薄膜在1 MHz频率下的介电常数(Dk)为2.71,介质损耗因数(Df)为0.0078。