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参苓健脾汤联合隔姜灸治疗慢性肺心病心力衰竭38例
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作者 皮晓静 邵露 安林超 《环球中医药》 CAS 2024年第4期724-727,共4页
目的 探讨参苓健脾汤联合隔姜灸治疗慢性肺心病心力衰竭的疗效。方法 将80例慢性肺心病心力衰竭患者随机分为2组,各40例患者。对照组脱落3例,剩余37例给予常规治疗。治疗组脱落2例,剩余38例在对照组基础上,加用参苓健脾汤联合隔姜灸治... 目的 探讨参苓健脾汤联合隔姜灸治疗慢性肺心病心力衰竭的疗效。方法 将80例慢性肺心病心力衰竭患者随机分为2组,各40例患者。对照组脱落3例,剩余37例给予常规治疗。治疗组脱落2例,剩余38例在对照组基础上,加用参苓健脾汤联合隔姜灸治疗。治疗2周后,对比两组患者的中医疗效和心功能疗效。测定两组患者治疗前后肌酸激酶、肌钙蛋白I、B型钠尿肽的水平。对比两组患者三尖瓣口舒张期峰值的E峰和A峰比值、肺动脉平均压(mean pulmonary artery pressure, MPAP)、心肌功能指数(myocardial performance index, MPI)。比较两组肺功能指标的水平。结果 治疗2周后,治疗组的中医疗效为92.11%,高于对照组的72.97%,差异有统计学意义(P<0.05)。治疗组心功能疗效为86.84%,明显优于对照组的67.57%(P<0.05)。治疗后,两组的肌酸激酶、肌钙蛋白I、B型钠尿肽低于治疗前(P<0.05);治疗组治疗后的肌酸激酶、肌钙蛋白I、B型钠尿肽低于对照组(P<0.05)。治疗后,两组的E/A高于治疗前,MPAP、MPI低于治疗前(P<0.05);治疗组治疗后的E/A高于对照组,MPAP、MPI低于对照组(P<0.05)。治疗后,两组的第1秒用力呼气预计值占比(expected proportion of forceful exhalation in the first second, FEV1%)、第一秒用力呼气容积/用力肺活量(first second forced expiratory volume/forced vital capacity, FEV1/FVC)、最大呼气流量(peak expiratory flow, PEF)显著升高,治疗组FEV1%、FEV1/FVC、PEF升高程度优于对照组(P<0.05)。结论 参苓健脾汤联合隔姜灸可提高慢性肺心病心力衰竭的疗效,进一步改善心功能和肺功能,降低心肌损伤。 展开更多
关键词 参苓健脾汤 隔姜灸 慢性肺心病心力衰竭 心功能 肺功能 心肌损伤
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胺碘酮与去乙酰毛花苷控制快速房颤心室率和转复率的疗效观察
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作者 张景宝 王波 +1 位作者 邵露 皮晓静 《中国处方药》 2019年第6期104-105,共2页
目的比较去乙酰毛花苷和胺碘酮对快速房颤患者转复率、心室率和疗效的影响。方法以2016年1月~2017年12月收治的快速房颤患者62例为研究对象,将之随机分为两组,研究组、对照组各31例,研究组应用胺碘酮治疗,对照组则使用去乙酰毛花苷。结... 目的比较去乙酰毛花苷和胺碘酮对快速房颤患者转复率、心室率和疗效的影响。方法以2016年1月~2017年12月收治的快速房颤患者62例为研究对象,将之随机分为两组,研究组、对照组各31例,研究组应用胺碘酮治疗,对照组则使用去乙酰毛花苷。结果两组患者治疗有效率分别为87.10%和58.06%,研究组患者的治疗效果显著优于对照组(χ^2=6.56,P=0.010 4);用药前两组患者心室率无显著差异,用药后30 min、60 min、120 min后研究组患者的心室率均明显低于对照组(t=6.98、9.115、12.704,P=0.000);用药120 min后,研究组转复率为25.81%(8/31),对照组为6.45%(2/31),两组差异显著(χ^2=4.29,P=0.038 3);对照组在治疗过程中出现3例心动过缓和2例低血压,在停药或经过相应处理后得到恢复,研究组出现2例心动过缓和1例低血压,未发生心室除极和复极激动时间延长的情况。结论在快速房颤患者的治疗中应用胺碘酮具有更加显著的效果,能够良好控制患者心室率,提高转复率,且安全性较高。 展开更多
关键词 胺碘酮 去乙酰毛花苷 快速房颤 心室率 转复率
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CCD水平孔解理方法的失效分析
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作者 何建强 江海波 +1 位作者 皮晓静 雷仁方 《电子技术(上海)》 2020年第2期14-16,共3页
采用垂直方向解理CCD的水平孔,获得CCD水平孔载体的概率达到100%。通过载体进行的SEM电镜成像分析,确定了孔位置四周多晶硅被钻蚀,导致金属与孔接触电阻增大,时钟电平不能有效施加在CCD水平栅电极上,是CCD样品不能成像的原因。经过工艺... 采用垂直方向解理CCD的水平孔,获得CCD水平孔载体的概率达到100%。通过载体进行的SEM电镜成像分析,确定了孔位置四周多晶硅被钻蚀,导致金属与孔接触电阻增大,时钟电平不能有效施加在CCD水平栅电极上,是CCD样品不能成像的原因。经过工艺优化,消除了孔区域的多晶硅钻蚀现象,使得CCD样品实现了正常成像。 展开更多
关键词 集成电路制造 CCD 解理 工艺优化 失效分析
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