多晶硅发射极精确制造工艺研究

阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件,CD尺寸侧向钻蚀小于0.5μm。

微小器件热特性测量新方法

微小器件热特性具有快速产生、不可逆、易损坏器件等性质,较难在瞬间捕捉到它变化的一些信息.为了研究微小器件热特性,本文引入了一种测试器件热性能的新方法——反射率热成像法,并对该种方法的成像原理、功能应用作了简单介绍.在实际测试小器件热特性过程中,应用反射率热成像系统与红外热像仪进行了对比测试,结果表明:反射率热成像系统空间分辨率更高,达到亚微米量级;时间分辨率更高,达到百纳秒级;对样品温度要求低,温度范围更大,不需要对样品加热;只需对新材料进行校准,无需对样品表面进行逐点校准.在要求高分辨率、超快速的微小尺寸热测试领域,反射率热成像仪有着很好的应用前景.