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高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
1
作者
毛明春
张翔九
+5 位作者
胡际璜
蒋最敏
朱海军
孙燕青
王迅
盛伯苓
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1998年第2期175-180,共6页
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与...
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。
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关键词
异质结
内光电子发射
红外探测器
硅
半导体
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职称材料
HF缓冲溶液处理Si(111)表面的化学稳定性椭偏谱研究
2
作者
苏毅
张秀珠
+4 位作者
陈良尧
包宗明
钱佑华
薛自
盛伯苓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期207-211,共5页
首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点峰值随之下降,而E1临界点峰值却随之上升;在pH...
首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点峰值随之下降,而E1临界点峰值却随之上升;在pH=5.3的BHF中腐蚀,再经去离子水漂洗后,可得到较稳定的Si(111)表面,在空气中一小时之内基本不氧化.
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关键词
HF缓冲溶液
硅(111)表面
化学稳定性
椭偏谱
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职称材料
题名
高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
1
作者
毛明春
张翔九
胡际璜
蒋最敏
朱海军
孙燕青
王迅
盛伯苓
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
上海无线电七厂
出处
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1998年第2期175-180,共6页
基金
国家"八六三"高技术计划资助项目(批准号:863-715-001-0153)
文摘
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。
关键词
异质结
内光电子发射
红外探测器
硅
半导体
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
HF缓冲溶液处理Si(111)表面的化学稳定性椭偏谱研究
2
作者
苏毅
张秀珠
陈良尧
包宗明
钱佑华
薛自
盛伯苓
机构
复旦大学物理系李政道综合物理实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期207-211,共5页
基金
浙江大学硅材料科学国家重点实验室基金
文摘
首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点峰值随之下降,而E1临界点峰值却随之上升;在pH=5.3的BHF中腐蚀,再经去离子水漂洗后,可得到较稳定的Si(111)表面,在空气中一小时之内基本不氧化.
关键词
HF缓冲溶液
硅(111)表面
化学稳定性
椭偏谱
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
毛明春
张翔九
胡际璜
蒋最敏
朱海军
孙燕青
王迅
盛伯苓
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1998
0
下载PDF
职称材料
2
HF缓冲溶液处理Si(111)表面的化学稳定性椭偏谱研究
苏毅
张秀珠
陈良尧
包宗明
钱佑华
薛自
盛伯苓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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职称材料
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