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高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
1
作者 毛明春 张翔九 +5 位作者 胡际璜 蒋最敏 朱海军 孙燕青 王迅 盛伯苓 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1998年第2期175-180,共6页
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与... 利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。 展开更多
关键词 异质结 内光电子发射 红外探测器 硅 半导体
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HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究
2
作者 苏毅 张秀珠 +4 位作者 陈良尧 包宗明 钱佑华 薛自 盛伯苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期207-211,共5页
首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ... 首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化． 展开更多
关键词 HF缓冲溶液 硅(111)表面 化学稳定性 椭偏谱
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