用改进的调制光电流相移分析技术研究氢化非晶硅的隙态分布

本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法，在此基础上，采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应．实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的．除了核准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本身电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1～2个数量级；经严格校准的光电流相移测试，a－Si：H的隙态分布在导带边以下约0．43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D-中心引起的．光照引起浅态减少，深态增加，引起了隙态重新分布．

RTCVD 工艺制备 poly-Si 薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备１ｃｍ２的ｐ＋ｎ结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为４．５４％（ＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ２，２５℃）。

盘式磁带高速复制用铁氧体记录磁头的研制

文章按照磁头记录时所应满足的３个基本原则，确定了磁头的基本参数，在分析了高速复制用记录磁头的使用条件和要求之后，提出了高速复制用记录磁头所应有的磁路结构。研究制作的磁头性能符合使用要求，达到了国外同类磁头的参数指标。文章最后还讨论了磁芯材料性能和其它参数的变化对磁头性能的影响。

高速复制机记录磁头磁路分析和计算

分析了高速复制机记录磁头磁路结构的特点，根据磁头漏磁通分布，提出了磁头磁阻计算的等效磁路，为了对磁头磁阻精确求解，对加工过程磁头芯材料中产生的磁性变质层用计算机进行了拟合；磁头磁阻的计算中，分别就磁芯材料的磁导率为实数和虚数的情况进行了讨论。

高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制

采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_(ph)/σ_d)达到10_6量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm^2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出:高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。在诸多因素中,大量原子态氢的退火处理和微量的硼补偿起到了重要作用。